BFG590/X,215,NXP USA Inc.,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 射频
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BFG590/X,215
BFG590/X,215 -
TRANS RF NPN 15V 5GHZ SOT143B
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
制造商产品编号:
BFG590/X,215
仓库库存编号:
568-11110-6-ND
描述:
TRANS RF NPN 15V 5GHZ SOT143B
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
RF Transistor NPN 15V 200mA 5GHz 400mW Surface Mount SOT-143B
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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BFG590/X,215产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-253-4,TO-253AA
制造商
NXP USA Inc.
安装类型
表面贴装
工作温度
175°C(TJ)
系列
-
包装
-Reel?
零件状态
过期
供应商器件封装
SOT-143B
晶体管类型
NPN
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
60 @ 70mA,8V
频率 - 跃迁
5GHz
功率 - 最大值
400mW
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
200mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
15V
增益
-
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值)
-
关键词
产品资料
标准包装
1
其它名称
568-11110-6
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封装/外壳 TO-253-4,TO-253AA
NXP USA Inc. 封装/外壳 TO-253-4,TO-253AA
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 TO-253-4,TO-253AA
NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 TO-253-4,TO-253AA
制造商 NXP USA Inc.
NXP USA Inc. 制造商 NXP USA Inc.
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 NXP USA Inc.
NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 NXP USA Inc.
安装类型 表面贴装
NXP USA Inc. 安装类型 表面贴装
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装
NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装
工作温度 175°C(TJ)
NXP USA Inc. 工作温度 175°C(TJ)
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 175°C(TJ)
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系列 -
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晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -
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包装 -Reel?
NXP USA Inc. 包装 -Reel?
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 -Reel?
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零件状态 过期
NXP USA Inc. 零件状态 过期
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 过期
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供应商器件封装 SOT-143B
NXP USA Inc. 供应商器件封装 SOT-143B
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 SOT-143B
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晶体管类型 NPN
NXP USA Inc. 晶体管类型 NPN
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN
NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 60 @ 70mA,8V
NXP USA Inc. 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 60 @ 70mA,8V
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 60 @ 70mA,8V
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频率 - 跃迁 5GHz
NXP USA Inc. 频率 - 跃迁 5GHz
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 5GHz
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功率 - 最大值 400mW
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晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 400mW
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电流 - 集电极(Ic)(最大值) 200mA
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晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 200mA
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电压 - 集射极击穿(最大值) 15V
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晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿(最大值) 15V
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增益 -
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晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 -
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噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) -
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