BFS25A,115,NXP USA Inc.,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 射频
st代理商
专业代理销售st（意法）全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索：    
热门搜索词：电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

BFS25A,115 - 

TRANS NPN 5V 6.5MA SOT323

  • 非库存货
NXP USA Inc. BFS25A,115
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
BFS25A,115
仓库库存编号：
BFS25A,115-ND
描述：
TRANS NPN 5V 6.5MA SOT323
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
RF Transistor NPN 5V 6.5mA 5GHz 32mW Surface Mount SOT-323-3
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

BFS25A,115产品属性


产品规格
  封装/外壳  SC-70，SOT-323  
  制造商  NXP USA Inc.  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  175°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  带卷（TR）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  SOT-323-3  
  晶体管类型  NPN  
  不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）  50 @ 500μA，1V  
  频率 - 跃迁  5GHz  
  功率 - 最大值  32mW  
  电流 - 集电极（Ic）（最大值）  6.5mA  
  电压 - 集射极击穿（最大值）  5V  
  增益  -  
  噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）  1.8dB ~ 2dB @ 1GHz  
关键词         

产品资料
数据列表 BFS25A
标准包装 3,000
其它名称 934021360115
BFS25A T/R
BFS25A T/R-ND

BFS25A,115您可能还对以下元器件感兴趣

  • 参考图片
  • 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
  • PDF
  • 操作

BFS25A,115相关搜索

封装/外壳 SC-70，SOT-323  NXP USA Inc. 封装/外壳 SC-70，SOT-323  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 SC-70，SOT-323  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 SC-70，SOT-323   制造商 NXP USA Inc.  NXP USA Inc. 制造商 NXP USA Inc.  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 NXP USA Inc.  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 NXP USA Inc.   安装类型 表面贴装  NXP USA Inc. 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装   工作温度 175°C（TJ）  NXP USA Inc. 工作温度 175°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 175°C（TJ）  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 175°C（TJ）   系列 -  NXP USA Inc. 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -   包装 带卷（TR）   NXP USA Inc. 包装 带卷（TR）   晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 带卷（TR）   NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 带卷（TR）    零件状态 在售  NXP USA Inc. 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 在售  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 在售   供应商器件封装 SOT-323-3  NXP USA Inc. 供应商器件封装 SOT-323-3  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 SOT-323-3  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 SOT-323-3   晶体管类型 NPN  NXP USA Inc. 晶体管类型 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 50 @ 500μA，1V  NXP USA Inc. 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 50 @ 500μA，1V  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 50 @ 500μA，1V  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 50 @ 500μA，1V   频率 - 跃迁 5GHz  NXP USA Inc. 频率 - 跃迁 5GHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 5GHz  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 5GHz   功率 - 最大值 32mW  NXP USA Inc. 功率 - 最大值 32mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 32mW  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 32mW   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 6.5mA  NXP USA Inc. 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 6.5mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 6.5mA  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 6.5mA   电压 - 集射极击穿（最大值） 5V  NXP USA Inc. 电压 - 集射极击穿（最大值） 5V  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿（最大值） 5V  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿（最大值） 5V   增益 -  NXP USA Inc. 增益 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 -  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 -   噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 1.8dB ~ 2dB @ 1GHz  NXP USA Inc. 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 1.8dB ~ 2dB @ 1GHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 1.8dB ~ 2dB @ 1GHz  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 1.8dB ~ 2dB @ 1GHz  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st（意法）简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号