关于我们 | 联系我们

库存查询

• 非库存货

产品规格

封装/外壳	5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353
制造商	NXP USA Inc.
安装类型	表面贴装
工作温度	-40°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	在售
供应商器件封装	5-TSSOP
晶体管类型	2 NPN（双）
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	60 @ 5mA，8V
频率 - 跃迁	10GHz
功率 - 最大值	450mW
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	30mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	12V
增益	14dB
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）	1dB @ 1.8GHz
关键词

产品资料

数据列表	BFU520Y
标准包装	10,000
其它名称	934067715135

封装/外壳 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353  NXP USA Inc. 封装/外壳 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353   制造商 NXP USA Inc.  NXP USA Inc. 制造商 NXP USA Inc.  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 NXP USA Inc.  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 NXP USA Inc.   安装类型 表面贴装  NXP USA Inc. 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装   工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  NXP USA Inc. 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  NXP USA Inc. 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -   包装 带卷（TR）   NXP USA Inc. 包装 带卷（TR）   晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 带卷（TR）   NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 带卷（TR）    零件状态 在售  NXP USA Inc. 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 在售  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 在售   供应商器件封装 5-TSSOP  NXP USA Inc. 供应商器件封装 5-TSSOP  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 5-TSSOP  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 5-TSSOP   晶体管类型 2 NPN（双）  NXP USA Inc. 晶体管类型 2 NPN（双）  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 2 NPN（双）  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 2 NPN（双）   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 60 @ 5mA，8V  NXP USA Inc. 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 60 @ 5mA，8V  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 60 @ 5mA，8V  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 60 @ 5mA，8V   频率 - 跃迁 10GHz  NXP USA Inc. 频率 - 跃迁 10GHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 10GHz  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 10GHz   功率 - 最大值 450mW  NXP USA Inc. 功率 - 最大值 450mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 450mW  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 450mW   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 30mA  NXP USA Inc. 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 30mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 30mA  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 30mA   电压 - 集射极击穿（最大值） 12V  NXP USA Inc. 电压 - 集射极击穿（最大值） 12V  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿（最大值） 12V  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿（最大值） 12V   增益 14dB  NXP USA Inc. 增益 14dB  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 14dB  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 14dB   噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 1dB @ 1.8GHz  NXP USA Inc. 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 1dB @ 1.8GHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 1dB @ 1.8GHz  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 1dB @ 1.8GHz