BFU580GX,NXP USA Inc.,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 射频
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BFU580GX
BFU580GX -
TRANS RF NPN 12V 60MA SOT223
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
制造商产品编号:
BFU580GX
仓库库存编号:
568-11519-1-ND
描述:
TRANS RF NPN 12V 60MA SOT223
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
RF Transistor NPN 12V 60mA 11GHz 1W Surface Mount SOT-223
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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BFU580GX产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-261-4,TO-261AA
制造商
NXP USA Inc.
安装类型
表面贴装
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
SOT-223
晶体管类型
NPN
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
60 @ 30mA,8V
频率 - 跃迁
11GHz
功率 - 最大值
1W
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
60mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
12V
增益
10.5dB
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值)
1.4dB @ 1.8GHz
关键词
产品资料
数据列表
BFU580G
标准包装
1
其它名称
568-11519-1
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参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
NXP USA Inc.
TRANS RF NPN 12V 30MA SOT23-3
详细描述:RF Transistor NPN 12V 30mA 10GHz 450mW Surface Mount TO-236AB (SOT23)
型号:
BFU520AR
仓库库存编号:
568-11503-1-ND
别名:568-11503-1
无铅
搜索
NXP USA Inc.
TRANS RF NPN 12V 50MA TO-236AB
详细描述:RF Transistor NPN 12V 50mA 11GHz 450mW Surface Mount TO-236AB (SOT23)
型号:
BFU550AR
仓库库存编号:
568-11514-1-ND
别名:568-11514-1
无铅
搜索
NXP USA Inc.
TRANS RF NPN 12V 200MA SOT223-4
详细描述:RF Transistor NPN 12V 200mA 8.5GHz 2W Surface Mount SOT-223
型号:
BFU590GX
仓库库存编号:
568-11521-1-ND
别名:568-11521-1
无铅
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封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA
NXP USA Inc. 封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA
NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA
制造商 NXP USA Inc.
NXP USA Inc. 制造商 NXP USA Inc.
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 NXP USA Inc.
NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 NXP USA Inc.
安装类型 表面贴装
NXP USA Inc. 安装类型 表面贴装
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装
NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
NXP USA Inc. 工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
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零件状态 在售
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晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 在售
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供应商器件封装 SOT-223
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晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 SOT-223
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晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN
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不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 60 @ 30mA,8V
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晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) 1.4dB @ 1.8GHz
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