BFU630F,115,NXP USA Inc.,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 射频
st代理商
专业代理销售st（意法）全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索：    
热门搜索词：电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

BFU630F,115 - 

TRANSISTOR NPN SOT343F-4

NXP USA Inc. BFU630F,115
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
BFU630F,115
仓库库存编号：
568-8453-1-ND
描述：
TRANSISTOR NPN SOT343F-4
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
RF Transistor NPN 5.5V 30mA 21GHz 200mW Surface Mount 4-DFP
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

BFU630F,115产品属性


产品规格
  封装/外壳  SOT-343F  
  制造商  NXP USA Inc.  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  4-DFP  
  晶体管类型  NPN  
  不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）  90 @ 5mA，2V  
  频率 - 跃迁  21GHz  
  功率 - 最大值  200mW  
  电流 - 集电极（Ic）（最大值）  30mA  
  电压 - 集射极击穿（最大值）  5.5V  
  增益  13dB ~ 22.5dB  
  噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）  0.75dB ~ 1.3dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz  
关键词         

产品资料
数据列表 BFU630F
标准包装 1
其它名称 568-8453-1

BFU630F,115您可能还对以下元器件感兴趣

  • 参考图片
  • 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
  • PDF
  • 操作

BFU630F,115相关搜索

封装/外壳 SOT-343F  NXP USA Inc. 封装/外壳 SOT-343F  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 SOT-343F  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 SOT-343F   制造商 NXP USA Inc.  NXP USA Inc. 制造商 NXP USA Inc.  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 NXP USA Inc.  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 NXP USA Inc.   安装类型 表面贴装  NXP USA Inc. 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  NXP USA Inc. 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 150°C（TJ）  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  NXP USA Inc. 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -   包装 剪切带（CT）   NXP USA Inc. 包装 剪切带（CT）   晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 剪切带（CT）   NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  NXP USA Inc. 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 在售  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 在售   供应商器件封装 4-DFP  NXP USA Inc. 供应商器件封装 4-DFP  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 4-DFP  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 4-DFP   晶体管类型 NPN  NXP USA Inc. 晶体管类型 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 90 @ 5mA，2V  NXP USA Inc. 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 90 @ 5mA，2V  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 90 @ 5mA，2V  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 90 @ 5mA，2V   频率 - 跃迁 21GHz  NXP USA Inc. 频率 - 跃迁 21GHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 21GHz  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 21GHz   功率 - 最大值 200mW  NXP USA Inc. 功率 - 最大值 200mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 200mW  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 200mW   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 30mA  NXP USA Inc. 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 30mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 30mA  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 30mA   电压 - 集射极击穿（最大值） 5.5V  NXP USA Inc. 电压 - 集射极击穿（最大值） 5.5V  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿（最大值） 5.5V  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿（最大值） 5.5V   增益 13dB ~ 22.5dB  NXP USA Inc. 增益 13dB ~ 22.5dB  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 13dB ~ 22.5dB  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 13dB ~ 22.5dB   噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 0.75dB ~ 1.3dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz  NXP USA Inc. 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 0.75dB ~ 1.3dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 0.75dB ~ 1.3dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 0.75dB ~ 1.3dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st（意法）简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号