BFU660F,115,NXP USA Inc.,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 射频
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BFU660F,115 - 

TRANSISTOR NPN SOT343F-4

NXP USA Inc. BFU660F,115
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
BFU660F,115
仓库库存编号：
568-8454-1-ND
描述：
TRANSISTOR NPN SOT343F-4
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
RF Transistor NPN 5.5V 60mA 21GHz 225mW Surface Mount 4-DFP
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

BFU660F,115产品属性


产品规格
  封装/外壳  SOT-343F  
  制造商  NXP USA Inc.  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  4-DFP  
  晶体管类型  NPN  
  不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）  90 @ 10mA，2V  
  频率 - 跃迁  21GHz  
  功率 - 最大值  225mW  
  电流 - 集电极（Ic）（最大值）  60mA  
  电压 - 集射极击穿（最大值）  5.5V  
  增益  12dB ~ 21dB  
  噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）  0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz  
关键词         

产品资料
数据列表 BFU660F
标准包装 1
其它名称 568-8454-1

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