BFU725F/N1,115,NXP USA Inc.,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 射频
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BFU725F/N1,115
BFU725F/N1,115 -
TRANSISTOR NPN 40MA SOT343
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
制造商产品编号:
BFU725F/N1,115
仓库库存编号:
568-5111-1-ND
描述:
TRANSISTOR NPN 40MA SOT343
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
RF Transistor NPN 2.8V 40mA 55GHz 136mW Surface Mount 4-SO
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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BFU725F/N1,115产品属性
产品规格
封装/外壳
SOT-343 反向插针
制造商
NXP USA Inc.
安装类型
表面贴装
工作温度
150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
4-SO
晶体管类型
NPN
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
160 @ 10mA,2V
频率 - 跃迁
55GHz
功率 - 最大值
136mW
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
40mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
2.8V
增益
10dB ~ 24dB
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值)
0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz
关键词
产品资料
数据列表
BFU725F
标准包装
1
其它名称
568-5111-1
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参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
NXP USA Inc.
TRANSISTOR NPN SOT343F-4
详细描述:RF Transistor NPN 2.8V 10mA 43GHz 136mW Surface Mount 4-DFP
型号:
BFU710F,115
仓库库存编号:
568-8456-1-ND
别名:568-8456-1
无铅
搜索
NXP USA Inc.
TRANSISTOR NPN SOT343F-4
详细描述:RF Transistor NPN 2.8V 30mA 55GHz 197mW Surface Mount 4-DFP
型号:
BFU730F,115
仓库库存编号:
568-8457-1-ND
别名:568-8457-1
无铅
搜索
NXP USA Inc.
TRANS RF NPN 2.8V 70MA SOT343F
详细描述:RF Transistor NPN 2.8V 70mA 45GHz 220mW Surface Mount 4-DFP
型号:
BFU760F,115
仓库库存编号:
568-8458-1-ND
别名:568-8458-1
无铅
搜索
NXP USA Inc.
TRANS NPN WIDEBAND DFP4
详细描述:RF Transistor Surface Mount SOT-343F
型号:
BFU910FX
仓库库存编号:
568-13123-1-ND
别名:568-13123-1
无铅
搜索
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封装/外壳 SOT-343 反向插针
NXP USA Inc. 封装/外壳 SOT-343 反向插针
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 SOT-343 反向插针
NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 SOT-343 反向插针
制造商 NXP USA Inc.
NXP USA Inc. 制造商 NXP USA Inc.
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 NXP USA Inc.
NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 NXP USA Inc.
安装类型 表面贴装
NXP USA Inc. 安装类型 表面贴装
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装
NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装
工作温度 150°C(TJ)
NXP USA Inc. 工作温度 150°C(TJ)
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 150°C(TJ)
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系列 -
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包装 剪切带(CT)
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晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 剪切带(CT)
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零件状态 在售
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晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 在售
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供应商器件封装 4-SO
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晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 4-SO
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晶体管类型 NPN
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晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN
NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 160 @ 10mA,2V
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电压 - 集射极击穿(最大值) 2.8V
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增益 10dB ~ 24dB
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晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 10dB ~ 24dB
NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 10dB ~ 24dB
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) 0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz
NXP USA Inc. 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) 0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) 0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz
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