BLS3135-20,114,NXP USA Inc.,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 射频
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BLS3135-20,114
BLS3135-20,114 -
TRANSISTOR RF POWER SOT422A
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
制造商产品编号:
BLS3135-20,114
仓库库存编号:
BLS3135-20,114-ND
描述:
TRANSISTOR RF POWER SOT422A
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
RF Transistor NPN 75V 2A 3.5GHz 80W Surface Mount CDFM2
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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BLS3135-20,114产品属性
产品规格
封装/外壳
SOT-422A
制造商
NXP USA Inc.
安装类型
表面贴装
工作温度
200°C(TJ)
系列
-
包装
托盘
零件状态
过期
供应商器件封装
CDFM2
晶体管类型
NPN
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
40 @ 1.5A,5V
频率 - 跃迁
3.5GHz
功率 - 最大值
80W
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
2A
电压 - 集射极击穿(最大值)
75V
增益
8dB
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值)
-
关键词
产品资料
标准包装
4
其它名称
934055937114
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晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 SOT-422A
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制造商 NXP USA Inc.
NXP USA Inc. 制造商 NXP USA Inc.
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 NXP USA Inc.
NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 NXP USA Inc.
安装类型 表面贴装
NXP USA Inc. 安装类型 表面贴装
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装
NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装
工作温度 200°C(TJ)
NXP USA Inc. 工作温度 200°C(TJ)
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 200°C(TJ)
NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 200°C(TJ)
系列 -
NXP USA Inc. 系列 -
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -
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包装 托盘
NXP USA Inc. 包装 托盘
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 托盘
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零件状态 过期
NXP USA Inc. 零件状态 过期
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 过期
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供应商器件封装 CDFM2
NXP USA Inc. 供应商器件封装 CDFM2
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 CDFM2
NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 CDFM2
晶体管类型 NPN
NXP USA Inc. 晶体管类型 NPN
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN
NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 40 @ 1.5A,5V
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晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 40 @ 1.5A,5V
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频率 - 跃迁 3.5GHz
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晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 3.5GHz
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功率 - 最大值 80W
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晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 80W
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电流 - 集电极(Ic)(最大值) 2A
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电压 - 集射极击穿(最大值) 75V
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