BLS3135-65,114,NXP USA Inc.,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 射频

专业代理销售st（意法）全系列产品

关于我们 | 联系我们

美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

美国1号仓库

分立半导体产品

晶体管 - 双极 (BJT) - 射频

> BLS3135-65,114

BLS3135-65,114 -

TRANSISTOR RF POWER SOT422A

已过时的产品。

NXP USA Inc. BLS3135-65,114

声明：图片仅供参考，请以实物为准！

制造商：: NXP USA Inc. NXP USA Inc.
制造商产品编号：: BLS3135-65,114
仓库库存编号：: BLS3135-65,114-ND
描述：: TRANSISTOR RF POWER SOT422A
ROHS：: 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：: 1（无限）
详细描述：: RF Transistor NPN 75V 8A 3.5GHz 200W Surface Mount CDFM2

订购热线： 400-900-3095 0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com

由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

BLS3135-65,114产品属性

产品规格

封装/外壳	SOT-422A
制造商	NXP USA Inc.
安装类型	表面贴装
工作温度	200°C（TJ）
系列	-
包装	托盘
零件状态	过期
供应商器件封装	CDFM2
晶体管类型	NPN
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	40 @ 2A，5V
频率 - 跃迁	3.5GHz
功率 - 最大值	200W
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	8A
电压 - 集射极击穿（最大值）	75V
增益	7dB
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）	-
关键词

产品资料

标准包装	4
其它名称	934055678114 BLS3135-65 TRAY BLS3135-65 TRAY-ND

BLS3135-65,114相关搜索

封装/外壳 SOT-422A NXP USA Inc. 封装/外壳 SOT-422A 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频封装/外壳 SOT-422A NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频封装/外壳 SOT-422A 制造商 NXP USA Inc. NXP USA Inc. 制造商 NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频制造商 NXP USA Inc. NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频制造商 NXP USA Inc. 安装类型表面贴装 NXP USA Inc. 安装类型表面贴装晶体管 - 双极 (BJT) - 射频安装类型表面贴装 NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频安装类型表面贴装工作温度 200°C（TJ） NXP USA Inc. 工作温度 200°C（TJ）晶体管 - 双极 (BJT) - 射频工作温度 200°C（TJ） NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频工作温度 200°C（TJ）系列 - NXP USA Inc. 系列 - 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频系列 - NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频系列 - 包装托盘 NXP USA Inc. 包装托盘晶体管 - 双极 (BJT) - 射频包装托盘 NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频包装托盘零件状态过期 NXP USA Inc. 零件状态过期晶体管 - 双极 (BJT) - 射频零件状态过期 NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频零件状态过期供应商器件封装 CDFM2 NXP USA Inc. 供应商器件封装 CDFM2 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频供应商器件封装 CDFM2 NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频供应商器件封装 CDFM2 晶体管类型 NPN NXP USA Inc. 晶体管类型 NPN 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频晶体管类型 NPN NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频晶体管类型 NPN 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 40 @ 2A，5V NXP USA Inc. 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 40 @ 2A，5V 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 40 @ 2A，5V NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 40 @ 2A，5V 频率 - 跃迁 3.5GHz NXP USA Inc. 频率 - 跃迁 3.5GHz 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频频率 - 跃迁 3.5GHz NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频频率 - 跃迁 3.5GHz 功率 - 最大值 200W NXP USA Inc. 功率 - 最大值 200W 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频功率 - 最大值 200W NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频功率 - 最大值 200W 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 8A NXP USA Inc. 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 8A 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频电流 - 集电极（Ic）（最大值） 8A NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频电流 - 集电极（Ic）（最大值） 8A 电压 - 集射极击穿（最大值） 75V NXP USA Inc. 电压 - 集射极击穿（最大值） 75V 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频电压 - 集射极击穿（最大值） 75V NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频电压 - 集射极击穿（最大值） 75V 增益 7dB NXP USA Inc. 增益 7dB 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频增益 7dB NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频增益 7dB 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） - NXP USA Inc. 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） - 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） - NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） -

邮箱：sales@szcwdz.com
Q Q：800152669
手机网站：m.szcwdz.com

美国1号品牌选型新加坡2号品牌选型

英国2号品牌选型英国10号品牌选型

日本5号品牌选型

st（意法）简介 | st产品 | st动态 | 产品应用 | st选型手册

Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号