BLT50,115,NXP USA Inc.,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 射频
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BLT50,115
BLT50,115 -
TRANS NPN UHF 7.5V SOT223
不提供增值包装;备有另选包装。
零件状态:过时;购买截止日期:01-30-2018。可能有最低购买数量。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
制造商产品编号:
BLT50,115
仓库库存编号:
568-8487-1-ND
描述:
TRANS NPN UHF 7.5V SOT223
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
RF Transistor NPN 10V 500mA 470MHz 2W Surface Mount SOT-223
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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BLT50,115产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-261-4,TO-261AA
制造商
NXP USA Inc.
安装类型
表面贴装
工作温度
175°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
上次购买时间
供应商器件封装
SOT-223
晶体管类型
NPN
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
25 @ 300mA,5V
频率 - 跃迁
470MHz
功率 - 最大值
2W
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
500mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
10V
增益
-
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值)
-
关键词
产品资料
数据列表
BLT50
标准包装
1
其它名称
568-8487-1
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Maxim Integrated
TRANS RF NPN 900MHZ 15V 8SOIC
详细描述:RF Transistor NPN 15V 1.2A 1GHz 6.4W Surface Mount 8-SOIC-EP
型号:
MAX2601ESA+
仓库库存编号:
MAX2601ESA+-ND
无铅
搜索
NXP USA Inc.
TRANS NPN 9.5V 500MA SOT223
详细描述:RF Transistor NPN 9.5V 500mA 900MHz 2W Surface Mount SOT-223
型号:
BLT81,115
仓库库存编号:
568-6214-1-ND
别名:568-6214-1
无铅
搜索
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封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA
NXP USA Inc. 封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA
NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA
制造商 NXP USA Inc.
NXP USA Inc. 制造商 NXP USA Inc.
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 NXP USA Inc.
NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 NXP USA Inc.
安装类型 表面贴装
NXP USA Inc. 安装类型 表面贴装
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装
NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装
工作温度 175°C(TJ)
NXP USA Inc. 工作温度 175°C(TJ)
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 175°C(TJ)
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系列 -
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包装 剪切带(CT)
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零件状态 上次购买时间
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晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 上次购买时间
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供应商器件封装 SOT-223
NXP USA Inc. 供应商器件封装 SOT-223
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 SOT-223
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晶体管类型 NPN
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晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN
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不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 25 @ 300mA,5V
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