BSP304A,126,NXP USA Inc.,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 单
>
BSP304A,126
BSP304A,126 -
MOSFET P-CH 300V 0.17A SOT54
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
制造商产品编号:
BSP304A,126
仓库库存编号:
BSP304A,126-ND
描述:
MOSFET P-CH 300V 0.17A SOT54
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 P 沟道 300V 170mA(Ta) 1W(Ta) TO-92-3
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
BSP304A,126产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
制造商
NXP USA Inc.
安装类型
通孔
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
过期
供应商器件封装
TO-92-3
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
-
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
17 欧姆 @ 170mA,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
P 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
170mA(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
90pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.55V @ 1mA
功率耗散(最大值)
1W(Ta)
漏源电压(Vdss)
300V
关键词
产品资料
标准包装
2,000
其它名称
934030880126
BSP304A AMO
BSP304A AMO-ND
BSP304A,126相关搜索
封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
NXP USA Inc. 封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
制造商 NXP USA Inc.
NXP USA Inc. 制造商 NXP USA Inc.
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 NXP USA Inc.
NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 NXP USA Inc.
安装类型 通孔
NXP USA Inc. 安装类型 通孔
晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 通孔
NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 通孔
工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ)
NXP USA Inc. 工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ)
NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ)
系列 -
NXP USA Inc. 系列 -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 -
NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 -
包装 带卷(TR)
NXP USA Inc. 包装 带卷(TR)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 带卷(TR)
NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 带卷(TR)
零件状态 过期
NXP USA Inc. 零件状态 过期
晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 过期
NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 过期
供应商器件封装 TO-92-3
NXP USA Inc. 供应商器件封装 TO-92-3
晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-92-3
NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-92-3
技术 MOSFET(金属氧化物)
NXP USA Inc. 技术 MOSFET(金属氧化物)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值) ±20V
NXP USA Inc. Vgs(最大值) ±20V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±20V
NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -
NXP USA Inc. 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -
NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 17 欧姆 @ 170mA,10V
NXP USA Inc. 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 17 欧姆 @ 170mA,10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 17 欧姆 @ 170mA,10V
NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 17 欧姆 @ 170mA,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
NXP USA Inc. 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
FET 类型 P 沟道
NXP USA Inc. FET 类型 P 沟道
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 P 沟道
NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 P 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 170mA(Ta)
NXP USA Inc. 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 170mA(Ta)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 170mA(Ta)
NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 170mA(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 90pF @ 25V
NXP USA Inc. 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 90pF @ 25V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 90pF @ 25V
NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 90pF @ 25V
FET 功能 -
NXP USA Inc. FET 功能 -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.55V @ 1mA
NXP USA Inc. 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.55V @ 1mA
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.55V @ 1mA
NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.55V @ 1mA
功率耗散(最大值) 1W(Ta)
NXP USA Inc. 功率耗散(最大值) 1W(Ta)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 1W(Ta)
NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 1W(Ta)
漏源电压(Vdss) 300V
NXP USA Inc. 漏源电压(Vdss) 300V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 300V
NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 300V
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号