BUK98180-100A,115,NXP USA Inc.,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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BUK98180-100A,115
BUK98180-100A,115 -
MOSFET N-CH 100V 4.6A SOT-223
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
制造商产品编号:
BUK98180-100A,115
仓库库存编号:
568-9714-1-ND
描述:
MOSFET N-CH 100V 4.6A SOT-223
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 100V 4.6A(Tc) 8W(Tc) SOT-223
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
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sales@szcwdz.com
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BUK98180-100A,115产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-261-4,TO-261AA
制造商
NXP USA Inc.
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS?
包装
剪切带(CT)
零件状态
过期
供应商器件封装
SOT-223
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±10V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
-
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
173 毫欧 @ 5A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
4.6A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
619pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2V @ 1mA
功率耗散(最大值)
8W(Tc)
漏源电压(Vdss)
100V
关键词
产品资料
数据列表
BUK98180-100A
标准包装
1
其它名称
568-9714-1
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 4.6A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.6A(Tc) 8W(Tc) SOT-223
型号:
BUK98180-100A/CUX
仓库库存编号:
1727-2225-1-ND
别名:1727-2225-1
568-12493-1
568-12493-1-ND
无铅
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制造商 NXP USA Inc.
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安装类型 表面贴装
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