BUK9880-55A,115,NXP USA Inc.,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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BUK9880-55A,115
BUK9880-55A,115 -
MOSFET N-CH 55V 7A SOT-223
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
制造商产品编号:
BUK9880-55A,115
仓库库存编号:
568-9715-1-ND
描述:
MOSFET N-CH 55V 7A SOT-223
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 55V 7A(Tc) 8W(Tc) SOT-223
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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BUK9880-55A,115产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-261-4,TO-261AA
制造商
NXP USA Inc.
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS?
包装
剪切带(CT)
零件状态
过期
供应商器件封装
SOT-223
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±15V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
11nC @ 5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
73 毫欧 @ 8A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
7A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
584pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2V @ 1mA
功率耗散(最大值)
8W(Tc)
漏源电压(Vdss)
55V
关键词
产品资料
数据列表
BUK9880-55A
标准包装
1
其它名称
568-9715-1
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 7A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Tc) 8W(Tc) SOT-223
型号:
BUK9880-55A/CUX
仓库库存编号:
1727-2230-1-ND
别名:1727-2230-1
568-12498-1
568-12498-1-ND
无铅
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NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA
制造商 NXP USA Inc.
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 NXP USA Inc.
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安装类型 表面贴装
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工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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系列 汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS?
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包装 剪切带(CT)
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供应商器件封装 SOT-223
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FET 功能 -
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 55V
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