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产品规格

封装/外壳	TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA
制造商	NXP USA Inc.
安装类型	通孔
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
系列	TrenchMOS??
包装	管件
零件状态	过期
供应商器件封装	I2PAK
技术	MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值）	±10V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	113nC @ 5V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	1.4 毫欧 @ 25A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	5V，10V
FET 类型	N 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	120A（Tc）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	16150pF @ 25V
FET 功能	-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.1V @ 1mA
功率耗散（最大值）	349W（Tc）
漏源电压（Vdss）	30V
关键词

产品资料

数据列表	BUK9E1R6-30E
标准包装	50
其它名称	568-9869-5 934066508127 BUK9E1R630E127

封装/外壳 TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA  NXP USA Inc. 封装/外壳 TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA   制造商 NXP USA Inc.  NXP USA Inc. 制造商 NXP USA Inc.  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 NXP USA Inc.  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 NXP USA Inc.   安装类型 通孔  NXP USA Inc. 安装类型 通孔  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 通孔  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  NXP USA Inc. 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）   系列 TrenchMOS??  NXP USA Inc. 系列 TrenchMOS??  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 TrenchMOS??  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 TrenchMOS??   包装 管件   NXP USA Inc. 包装 管件   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 管件   NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 过期  NXP USA Inc. 零件状态 过期  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 过期  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 I2PAK  NXP USA Inc. 供应商器件封装 I2PAK  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 I2PAK  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 I2PAK   技术 MOSFET（金属氧化物）  NXP USA Inc. 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   Vgs（最大值） ±10V  NXP USA Inc. Vgs（最大值） ±10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±10V  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±10V   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 113nC @ 5V  NXP USA Inc. 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 113nC @ 5V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 113nC @ 5V  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 113nC @ 5V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.4 毫欧 @ 25A，10V  NXP USA Inc. 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.4 毫欧 @ 25A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.4 毫欧 @ 25A，10V  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.4 毫欧 @ 25A，10V   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V，10V  NXP USA Inc. 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V，10V  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V，10V   FET 类型 N 沟道  NXP USA Inc. FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）  NXP USA Inc. 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 16150pF @ 25V  NXP USA Inc. 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 16150pF @ 25V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 16150pF @ 25V  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 16150pF @ 25V   FET 功能 -  NXP USA Inc. FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.1V @ 1mA  NXP USA Inc. 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.1V @ 1mA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.1V @ 1mA  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.1V @ 1mA   功率耗散（最大值） 349W（Tc）  NXP USA Inc. 功率耗散（最大值） 349W（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 349W（Tc）  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 349W（Tc）   漏源电压（Vdss） 30V  NXP USA Inc. 漏源电压（Vdss） 30V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 30V  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 30V