关于我们 | 联系我们

库存查询

• 已过时的产品。

产品规格

封装/外壳	TO-220-3 全封装，隔离接片
制造商	NXP USA Inc.
安装类型	通孔
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	管件
零件状态	过期
供应商器件封装	TO-220F
晶体管类型	NPN
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	20 @ 500mA，5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	550V
Power - Max	32W
电流 - 集电极截止（最大值）	1mA
Current - Collector (Ic) (Max)	6A
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	1V @ 400mA，2A
频率 - 跃迁	-
关键词

产品资料

标准包装	1,000
其它名称	934056321127 BUT11APX-1200 BUT11APX-1200-ND

封装/外壳 TO-220-3 全封装，隔离接片  NXP USA Inc. 封装/外壳 TO-220-3 全封装，隔离接片  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-220-3 全封装，隔离接片  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-220-3 全封装，隔离接片   制造商 NXP USA Inc.  NXP USA Inc. 制造商 NXP USA Inc.  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 NXP USA Inc.  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 NXP USA Inc.   安装类型 通孔  NXP USA Inc. 安装类型 通孔  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔   工作温度 150°C（TJ）  NXP USA Inc. 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C（TJ）  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  NXP USA Inc. 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 管件   NXP USA Inc. 包装 管件   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 管件   NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 管件    零件状态 过期  NXP USA Inc. 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 过期  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 TO-220F  NXP USA Inc. 供应商器件封装 TO-220F  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-220F  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-220F   晶体管类型 NPN  NXP USA Inc. 晶体管类型 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 20 @ 500mA，5V  NXP USA Inc. 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 20 @ 500mA，5V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 20 @ 500mA，5V  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 20 @ 500mA，5V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 550V  NXP USA Inc. Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 550V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 550V  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 550V   Power - Max 32W  NXP USA Inc. Power - Max 32W  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 32W  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 32W   电流 - 集电极截止（最大值） 1mA  NXP USA Inc. 电流 - 集电极截止（最大值） 1mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 1mA  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 1mA   Current - Collector (Ic) (Max) 6A  NXP USA Inc. Current - Collector (Ic) (Max) 6A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 6A  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 6A   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1V @ 400mA，2A  NXP USA Inc. 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1V @ 400mA，2A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1V @ 400mA，2A  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1V @ 400mA，2A   频率 - 跃迁 -  NXP USA Inc. 频率 - 跃迁 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 -  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 -