IRFZ44N,127,NXP USA Inc.,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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IRFZ44N,127
IRFZ44N,127 -
MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
制造商产品编号:
IRFZ44N,127
仓库库存编号:
IRFZ44N,127-ND
描述:
MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 55V 49A(Tc) 110W(Tc) TO-220AB
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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IRFZ44N,127产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-220-3
制造商
NXP USA Inc.
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
TrenchMOS??
包装
管件
零件状态
过期
供应商器件封装
TO-220AB
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
62nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
22 毫欧 @ 25A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
49A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1800pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 1mA
功率耗散(最大值)
110W(Tc)
漏源电压(Vdss)
55V
关键词
产品资料
标准包装
50
其它名称
934055538127
IRFZ44NP
IRFZ44NP-ND
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
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MOSFET N-CH 55V 49A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 49A(Tc) 94W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFZ44NPBF
仓库库存编号:
IRFZ44NPBF-ND
别名:*IRFZ44NPBF
94-4305PBF
94-4305PBF-ND
SP001565354
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MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
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仓库库存编号:
IRFZ44PBF-ND
别名:*IRFZ44PBF
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MOSFET N-CH 60V 50A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 120W(Tc) TO-220-3
型号:
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仓库库存编号:
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别名:FQP50N06-ND
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Infineon Technologies
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详细描述:通孔 N 沟道 195A(Tc) 375W(Tc) TO-220AB
型号:
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仓库库存编号:
IRLB3034PBF-ND
别名:64-0061PBF
64-0061PBF-ND
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制造商 NXP USA Inc.
NXP USA Inc. 制造商 NXP USA Inc.
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安装类型 通孔
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NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 55V
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