J111,126,NXP USA Inc.,分立半导体产品,晶体管 - JFET
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J111,126 - 

JFET N-CH 40V 400MW TO92-3

  • 已过时的产品。
NXP USA Inc. J111,126
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制造商产品编号：
J111,126
仓库库存编号：
568-5810-1-ND
描述：
JFET N-CH 40V 400MW TO92-3
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
JFET N-Channel 40V 400mW Through Hole TO-92-3
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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(工作日)		 操作
J111,126
库存编号:2156-J111126-ND		 Rochester Electronics LLC JFET N-CH 40V TO92-36000
1066起订		1066+
￥3.49
6-10天购买 购买
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J111,126
库存编号:568-5810-3-ND		 NXP Semiconductors JFET N-CH 40V TO92-30
1066起订		6-10天询价 询价
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
J111,126
库存编号:85988901		 NXP Semiconductors Trans JFET N-CH 40V Si 3-Pin SPT Ammo0
1304起订		1304+
￥3.87
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J111,126产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）  
  制造商  NXP USA Inc.  
  安装类型  通孔  
  工作温度  150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  TO-92-3  
  FET 类型  N 沟道  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  6pF @ 10V（VGS）  
  漏源电压（Vdss）  40V  
  Power - Max  400mW  
  不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）  20mA @ 15V  
  不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）  10V @ 1μA  
  电压 - 击穿（V（BR）GSS）  40V  
  电阻 - RDS（开）  30 欧姆  
关键词         

产品资料
PCN 过时产品/ EOL Multiple Devices 31/Dec/2011
标准包装 1
其它名称 568-5810-1
J111126

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J111,126
[更多]		 NXP Semiconductors

RF JFET Transistors N-Channel Single 40V 20mA

RoHS: Compliant

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J111,126
[更多]		 NXP Semiconductors

Trans JFET N-CH 40V Si 3-Pin SPT Ammo

RoHS: Compliant | pbFree: No

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J111126
[更多]		 NXP Semiconductors  

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NXP USA Inc. - J111,126 - JFET N-CH 40V 400MW TO92-3		NXP USA Inc.
JFET N-CH 40V 400MW TO92-3
详细描述：JFET N-Channel 40V 400mW Through Hole TO-92-3

型号：J111,126
仓库库存编号：568-5810-1-ND
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无图J111 126
NXP Semiconductors		射频JFET晶体管 N-Channel Single 40V 20mA
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NXP Semiconductors		射频JFET晶体管 N-Channel Single 40V 20mA
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J111,126|NXP SemiconductorsJ111,126
NXP Semiconductors		TRANSISTOR N-CH 40V 50MA SOT54
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NXP Semiconductors		射频JFET晶体管 N-Channel Single 40V 20mA
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