J111,126,NXP USA Inc.,分立半导体产品,晶体管 - JFET
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J111,126
J111,126 -
JFET N-CH 40V 400MW TO92-3
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
制造商产品编号:
J111,126
仓库库存编号:
568-5810-1-ND
描述:
JFET N-CH 40V 400MW TO92-3
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
JFET N-Channel 40V 400mW Through Hole TO-92-3
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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J111,126产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
制造商
NXP USA Inc.
安装类型
通孔
工作温度
150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
过期
供应商器件封装
TO-92-3
FET 类型
N 沟道
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
6pF @ 10V(VGS)
漏源电压(Vdss)
40V
Power - Max
400mW
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss)
20mA @ 15V
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关)
10V @ 1μA
电压 - 击穿(V(BR)GSS)
40V
电阻 - RDS(开)
30 欧姆
关键词
产品资料
PCN 过时产品/ EOL
Multiple Devices 31/Dec/2011
标准包装
1
其它名称
568-5810-1
J111126
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封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
NXP USA Inc. 封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
晶体管 - JFET 封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
NXP USA Inc. 晶体管 - JFET 封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
制造商 NXP USA Inc.
NXP USA Inc. 制造商 NXP USA Inc.
晶体管 - JFET 制造商 NXP USA Inc.
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安装类型 通孔
NXP USA Inc. 安装类型 通孔
晶体管 - JFET 安装类型 通孔
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工作温度 150°C(TJ)
NXP USA Inc. 工作温度 150°C(TJ)
晶体管 - JFET 工作温度 150°C(TJ)
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系列 -
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晶体管 - JFET 系列 -
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包装 剪切带(CT)
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晶体管 - JFET 包装 剪切带(CT)
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零件状态 过期
NXP USA Inc. 零件状态 过期
晶体管 - JFET 零件状态 过期
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供应商器件封装 TO-92-3
NXP USA Inc. 供应商器件封装 TO-92-3
晶体管 - JFET 供应商器件封装 TO-92-3
NXP USA Inc. 晶体管 - JFET 供应商器件封装 TO-92-3
FET 类型 N 沟道
NXP USA Inc. FET 类型 N 沟道
晶体管 - JFET FET 类型 N 沟道
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6pF @ 10V(VGS)
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晶体管 - JFET 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6pF @ 10V(VGS)
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漏源电压(Vdss) 40V
NXP USA Inc. 漏源电压(Vdss) 40V
晶体管 - JFET 漏源电压(Vdss) 40V
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Power - Max 400mW
NXP USA Inc. Power - Max 400mW
晶体管 - JFET Power - Max 400mW
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不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss) 20mA @ 15V
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不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关) 10V @ 1μA
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