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产品规格

封装/外壳	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
制造商	NXP USA Inc.
安装类型	通孔
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	带盒（TB）
零件状态	过期
供应商器件封装	TO-92
FET 类型	P 沟道
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	8pF @ 10V（VGS）
漏源电压（Vdss）	30V
Power - Max	400mW
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）	2mA @ 15V
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）	1V @ 10nA
电压 - 击穿（V（BR）GSS）	30V
电阻 - RDS（开）	250 欧姆
关键词

产品资料

数据列表	J174-77
PCN 过时产品/ EOL	Multiple Devices 31/Dec/2011
标准包装	2,000
其它名称	934005310126 J176 AMO J176 AMO-ND

封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）  NXP USA Inc. 封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）  晶体管 - JFET 封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）  NXP USA Inc. 晶体管 - JFET 封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）   制造商 NXP USA Inc.  NXP USA Inc. 制造商 NXP USA Inc.  晶体管 - JFET 制造商 NXP USA Inc.  NXP USA Inc. 晶体管 - JFET 制造商 NXP USA Inc.   安装类型 通孔  NXP USA Inc. 安装类型 通孔  晶体管 - JFET 安装类型 通孔  NXP USA Inc. 晶体管 - JFET 安装类型 通孔   工作温度 150°C（TJ）  NXP USA Inc. 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - JFET 工作温度 150°C（TJ）  NXP USA Inc. 晶体管 - JFET 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  NXP USA Inc. 系列 -  晶体管 - JFET 系列 -  NXP USA Inc. 晶体管 - JFET 系列 -   包装 带盒（TB）   NXP USA Inc. 包装 带盒（TB）   晶体管 - JFET 包装 带盒（TB）   NXP USA Inc. 晶体管 - JFET 包装 带盒（TB）    零件状态 过期  NXP USA Inc. 零件状态 过期  晶体管 - JFET 零件状态 过期  NXP USA Inc. 晶体管 - JFET 零件状态 过期   供应商器件封装 TO-92  NXP USA Inc. 供应商器件封装 TO-92  晶体管 - JFET 供应商器件封装 TO-92  NXP USA Inc. 晶体管 - JFET 供应商器件封装 TO-92   FET 类型 P 沟道  NXP USA Inc. FET 类型 P 沟道  晶体管 - JFET FET 类型 P 沟道  NXP USA Inc. 晶体管 - JFET FET 类型 P 沟道   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 8pF @ 10V（VGS）  NXP USA Inc. 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 8pF @ 10V（VGS）  晶体管 - JFET 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 8pF @ 10V（VGS）  NXP USA Inc. 晶体管 - JFET 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 8pF @ 10V（VGS）   漏源电压（Vdss） 30V  NXP USA Inc. 漏源电压（Vdss） 30V  晶体管 - JFET 漏源电压（Vdss） 30V  NXP USA Inc. 晶体管 - JFET 漏源电压（Vdss） 30V   Power - Max 400mW  NXP USA Inc. Power - Max 400mW  晶体管 - JFET Power - Max 400mW  NXP USA Inc. 晶体管 - JFET Power - Max 400mW   不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 2mA @ 15V  NXP USA Inc. 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 2mA @ 15V  晶体管 - JFET 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 2mA @ 15V  NXP USA Inc. 晶体管 - JFET 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 2mA @ 15V   不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） 1V @ 10nA  NXP USA Inc. 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） 1V @ 10nA  晶体管 - JFET 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） 1V @ 10nA  NXP USA Inc. 晶体管 - JFET 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） 1V @ 10nA   电压 - 击穿（V（BR）GSS） 30V  NXP USA Inc. 电压 - 击穿（V（BR）GSS） 30V  晶体管 - JFET 电压 - 击穿（V（BR）GSS） 30V  NXP USA Inc. 晶体管 - JFET 电压 - 击穿（V（BR）GSS） 30V   电阻 - RDS（开） 250 欧姆  NXP USA Inc. 电阻 - RDS（开） 250 欧姆  晶体管 - JFET 电阻 - RDS（开） 250 欧姆  NXP USA Inc. 晶体管 - JFET 电阻 - RDS（开） 250 欧姆