关于我们 | 联系我们

库存查询

• 已过时的产品。

产品规格

封装/外壳	SC-82A，SOT-343
制造商	NXP USA Inc.
安装类型	表面贴装
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	过期
供应商器件封装	SOT-343
晶体管类型	NPN
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	100 @ 5mA，2V
频率 - 跃迁	15GHz
功率 - 最大值	188mW
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	20mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	6.5V
增益	15dB ~ 22dB
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）	0.8dB ~ 1.1dB @ 900MHz ~ 1.9GHz
关键词

产品资料

数据列表	MBC13900
标准包装	3,000

封装/外壳 SC-82A，SOT-343  NXP USA Inc. 封装/外壳 SC-82A，SOT-343  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 SC-82A，SOT-343  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 SC-82A，SOT-343   制造商 NXP USA Inc.  NXP USA Inc. 制造商 NXP USA Inc.  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 NXP USA Inc.  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 NXP USA Inc.   安装类型 表面贴装  NXP USA Inc. 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  NXP USA Inc. 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 150°C（TJ）  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  NXP USA Inc. 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -   包装 带卷（TR）   NXP USA Inc. 包装 带卷（TR）   晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 带卷（TR）   NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 带卷（TR）    零件状态 过期  NXP USA Inc. 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 过期  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 过期   供应商器件封装 SOT-343  NXP USA Inc. 供应商器件封装 SOT-343  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 SOT-343  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 SOT-343   晶体管类型 NPN  NXP USA Inc. 晶体管类型 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 5mA，2V  NXP USA Inc. 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 5mA，2V  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 5mA，2V  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 5mA，2V   频率 - 跃迁 15GHz  NXP USA Inc. 频率 - 跃迁 15GHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 15GHz  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 15GHz   功率 - 最大值 188mW  NXP USA Inc. 功率 - 最大值 188mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 188mW  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 188mW   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 20mA  NXP USA Inc. 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 20mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 20mA  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 20mA   电压 - 集射极击穿（最大值） 6.5V  NXP USA Inc. 电压 - 集射极击穿（最大值） 6.5V  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿（最大值） 6.5V  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿（最大值） 6.5V   增益 15dB ~ 22dB  NXP USA Inc. 增益 15dB ~ 22dB  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 15dB ~ 22dB  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 15dB ~ 22dB   噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 0.8dB ~ 1.1dB @ 900MHz ~ 1.9GHz  NXP USA Inc. 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 0.8dB ~ 1.1dB @ 900MHz ~ 1.9GHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 0.8dB ~ 1.1dB @ 900MHz ~ 1.9GHz  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 0.8dB ~ 1.1dB @ 900MHz ~ 1.9GHz