MMZ09332BT1,NXP USA Inc.,射频/IF 和 RFID,RF 放大器
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MMZ09332BT1
MMZ09332BT1 -
IC AMP HBT INGAP
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
制造商产品编号:
MMZ09332BT1
仓库库存编号:
MMZ09332BT1CT-ND
描述:
IC AMP HBT INGAP
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
RF Amplifier IC LTE, TDS-CDMA, W-CDMA 130MHz ~ 1GHz 12-QFN (3x3)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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MMZ09332BT1产品属性
产品规格
封装/外壳
12-VFQFN 裸露焊盘
制造商
NXP USA Inc.
系列
-
包装
剪切带(CT)
频率
130MHz ~ 1GHz
零件状态
在售
电压 - 电源
5V
供应商器件封装
12-QFN(3x3)
电流 - 电源
240mA
P1dB
32dBm
RF 类型
LTE,TDS-CDMA,W-CDMA
增益
31dB
噪声系数
-
测试频率
1GHz
关键词
产品资料
数据列表
MMZ09332BT1
标准包装
1
其它名称
MMZ09332BT1CT
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
NXP USA Inc.
TRANS GPA 33DBM 16-QFN
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型号:
MMG3006NT1
仓库库存编号:
MMG3006NT1CT-ND
别名:MMG3006NT1CT
无铅
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NXP USA Inc.
IC AMP HBT INGAP CLASS AB 12QFN
详细描述:RF Amplifier IC CDMA, GSM 400MHz ~ 1GHz 12-QFN (3x3)
型号:
MMZ09312BT1
仓库库存编号:
MMZ09312BT1CT-ND
别名:MMZ09312BT1CT
无铅
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型号:
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仓库库存编号:
863-1599-1-ND
别名:863-1599-1
无铅
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NXP USA Inc.
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型号:
AFT09MS015NT1
仓库库存编号:
AFT09MS015NT1CT-ND
别名:AFT09MS015NT1CT
无铅
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封装/外壳 12-VFQFN 裸露焊盘
NXP USA Inc. 封装/外壳 12-VFQFN 裸露焊盘
RF 放大器 封装/外壳 12-VFQFN 裸露焊盘
NXP USA Inc. RF 放大器 封装/外壳 12-VFQFN 裸露焊盘
制造商 NXP USA Inc.
NXP USA Inc. 制造商 NXP USA Inc.
RF 放大器 制造商 NXP USA Inc.
NXP USA Inc. RF 放大器 制造商 NXP USA Inc.
系列 -
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RF 放大器 系列 -
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包装 剪切带(CT)
NXP USA Inc. 包装 剪切带(CT)
RF 放大器 包装 剪切带(CT)
NXP USA Inc. RF 放大器 包装 剪切带(CT)
频率 130MHz ~ 1GHz
NXP USA Inc. 频率 130MHz ~ 1GHz
RF 放大器 频率 130MHz ~ 1GHz
NXP USA Inc. RF 放大器 频率 130MHz ~ 1GHz
零件状态 在售
NXP USA Inc. 零件状态 在售
RF 放大器 零件状态 在售
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电压 - 电源 5V
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RF 放大器 电压 - 电源 5V
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供应商器件封装 12-QFN(3x3)
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RF 放大器 供应商器件封装 12-QFN(3x3)
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电流 - 电源 240mA
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RF 放大器 电流 - 电源 240mA
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P1dB 32dBm
NXP USA Inc. P1dB 32dBm
RF 放大器 P1dB 32dBm
NXP USA Inc. RF 放大器 P1dB 32dBm
RF 类型 LTE,TDS-CDMA,W-CDMA
NXP USA Inc. RF 类型 LTE,TDS-CDMA,W-CDMA
RF 放大器 RF 类型 LTE,TDS-CDMA,W-CDMA
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增益 31dB
NXP USA Inc. 增益 31dB
RF 放大器 增益 31dB
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噪声系数 -
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测试频率 1GHz
NXP USA Inc. 测试频率 1GHz
RF 放大器 测试频率 1GHz
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