MRF1535NT1,NXP USA Inc.,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 射频
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MRF1535NT1
MRF1535NT1 -
FET RF 40V 520MHZ TO272-6 WRAP
不推荐用于新设计,因为可能有最低订货量限制。 请参阅“替代封装”或“替代品”选项。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
制造商产品编号:
MRF1535NT1
仓库库存编号:
MRF1535NT1CT-ND
描述:
FET RF 40V 520MHZ TO272-6 WRAP
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
3(168 小时)
详细描述:
RF Mosfet LDMOS 12.5V 500mA 520MHz 13.5dB 35W TO-272-6
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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MRF1535NT1产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-272AA
制造商
NXP USA Inc.
系列
-
包装
剪切带(CT)
频率
520MHz
零件状态
不可用于新设计
供应商器件封装
TO-272-6
电压 - 额定
40V
额定电流
6A
晶体管类型
LDMOS
电流 - 测试
500mA
增益
13.5dB
噪声系数
-
电压 - 测试
12.5V
功率 - 输出
35W
关键词
产品资料
数据列表
MRF1535N Series
标准包装
1
其它名称
MRF1535NT1CT
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
NXP USA Inc.
FET RF 40V 520MHZ PLD-1.5
详细描述:RF Mosfet LDMOS 12.5V 50mA 520MHz 15dB 3W PLD-1.5
型号:
MRF1513NT1
仓库库存编号:
MRF1513NT1CT-ND
别名:MRF1513NT1CT
无铅
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封装/外壳 TO-272AA
NXP USA Inc. 封装/外壳 TO-272AA
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 封装/外壳 TO-272AA
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制造商 NXP USA Inc.
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晶体管 - FET,MOSFET - 射频 制造商 NXP USA Inc.
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系列 -
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包装 剪切带(CT)
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晶体管 - FET,MOSFET - 射频 包装 剪切带(CT)
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频率 520MHz
NXP USA Inc. 频率 520MHz
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 频率 520MHz
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零件状态 不可用于新设计
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晶体管 - FET,MOSFET - 射频 零件状态 不可用于新设计
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供应商器件封装 TO-272-6
NXP USA Inc. 供应商器件封装 TO-272-6
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 供应商器件封装 TO-272-6
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电压 - 额定 40V
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晶体管 - FET,MOSFET - 射频 电压 - 额定 40V
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额定电流 6A
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晶体管 - FET,MOSFET - 射频 额定电流 6A
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晶体管类型 LDMOS
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晶体管 - FET,MOSFET - 射频 晶体管类型 LDMOS
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电流 - 测试 500mA
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晶体管 - FET,MOSFET - 射频 电流 - 测试 500mA
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增益 13.5dB
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功率 - 输出 35W
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晶体管 - FET,MOSFET - 射频 功率 - 输出 35W
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