MRF373ALSR5,NXP USA Inc.,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 射频
st代理商
专业代理销售st（意法）全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索：    
热门搜索词：电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

MRF373ALSR5 - 

FET RF 70V 860MHZ NI-360S

  • 已过时的产品。
NXP USA Inc. MRF373ALSR5
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
MRF373ALSR5
仓库库存编号：
MRF373ALSR5-ND
描述：
FET RF 70V 860MHZ NI-360S
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
RF Mosfet LDMOS 32V 200mA 860MHz 18.2dB 75W NI-360 Short Lead
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

MRF373ALSR5产品属性


产品规格
  封装/外壳  NI-360S  
  制造商  NXP USA Inc.  
  系列  -  
  包装  带卷（TR）   
  频率  860MHz  
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  NI-360 短引线  
  电压 - 额定  70V  
  额定电流  -  
  晶体管类型  LDMOS  
  电流 - 测试  200mA  
  增益  18.2dB  
  噪声系数  -  
  电压 - 测试  32V  
  功率 - 输出  75W  
关键词         

产品资料
数据列表 MRF373A
标准包装 50

MRF373ALSR5相关搜索

封装/外壳 NI-360S  NXP USA Inc. 封装/外壳 NI-360S  晶体管 - FET，MOSFET - 射频 封装/外壳 NI-360S  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 封装/外壳 NI-360S   制造商 NXP USA Inc.  NXP USA Inc. 制造商 NXP USA Inc.  晶体管 - FET，MOSFET - 射频 制造商 NXP USA Inc.  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 制造商 NXP USA Inc.   系列 -  NXP USA Inc. 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 射频 系列 -  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 系列 -   包装 带卷（TR）   NXP USA Inc. 包装 带卷（TR）   晶体管 - FET，MOSFET - 射频 包装 带卷（TR）   NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 包装 带卷（TR）    频率 860MHz  NXP USA Inc. 频率 860MHz  晶体管 - FET，MOSFET - 射频 频率 860MHz  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 频率 860MHz   零件状态 过期  NXP USA Inc. 零件状态 过期  晶体管 - FET，MOSFET - 射频 零件状态 过期  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 零件状态 过期   供应商器件封装 NI-360 短引线  NXP USA Inc. 供应商器件封装 NI-360 短引线  晶体管 - FET，MOSFET - 射频 供应商器件封装 NI-360 短引线  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 供应商器件封装 NI-360 短引线   电压 - 额定 70V  NXP USA Inc. 电压 - 额定 70V  晶体管 - FET，MOSFET - 射频 电压 - 额定 70V  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 电压 - 额定 70V   额定电流 -  NXP USA Inc. 额定电流 -  晶体管 - FET，MOSFET - 射频 额定电流 -  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 额定电流 -   晶体管类型 LDMOS  NXP USA Inc. 晶体管类型 LDMOS  晶体管 - FET，MOSFET - 射频 晶体管类型 LDMOS  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 晶体管类型 LDMOS   电流 - 测试 200mA  NXP USA Inc. 电流 - 测试 200mA  晶体管 - FET，MOSFET - 射频 电流 - 测试 200mA  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 电流 - 测试 200mA   增益 18.2dB  NXP USA Inc. 增益 18.2dB  晶体管 - FET，MOSFET - 射频 增益 18.2dB  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 增益 18.2dB   噪声系数 -  NXP USA Inc. 噪声系数 -  晶体管 - FET，MOSFET - 射频 噪声系数 -  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 噪声系数 -   电压 - 测试 32V  NXP USA Inc. 电压 - 测试 32V  晶体管 - FET，MOSFET - 射频 电压 - 测试 32V  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 电压 - 测试 32V   功率 - 输出 75W  NXP USA Inc. 功率 - 输出 75W  晶体管 - FET，MOSFET - 射频 功率 - 输出 75W  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 功率 - 输出 75W  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st（意法）简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号