MRF6P24190HR6,NXP USA Inc.,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 射频

专业代理销售st（意法）全系列产品

关于我们 | 联系我们

美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

美国1号仓库

分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 射频

> MRF6P24190HR6

MRF6P24190HR6 -

FET RF 68V 2.39GHZ NI-1230

零件状态：过时；购买截止日期：12-06-2017。可能有最低购买数量。

NXP USA Inc. MRF6P24190HR6

声明：图片仅供参考，请以实物为准！

制造商：: NXP USA Inc. NXP USA Inc.
制造商产品编号：: MRF6P24190HR6
仓库库存编号：: MRF6P24190HR6-ND
描述：: FET RF 68V 2.39GHZ NI-1230
ROHS：: 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：: 3（168 小时）
详细描述：: RF Mosfet LDMOS 28V 1.9A 2.39GHz 14dB 40W NI-1230

订购热线： 400-900-3095 0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com

由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

MRF6P24190HR6产品属性

产品规格

封装/外壳	NI-1230
制造商	NXP USA Inc.
系列	-
包装	带卷（TR）
频率	2.39GHz
零件状态	上次购买时间
供应商器件封装	NI-1230
电压 - 额定	68V
额定电流	-
晶体管类型	LDMOS
电流 - 测试	1.9A
增益	14dB
噪声系数	-
电压 - 测试	28V
功率 - 输出	40W
关键词

产品资料

数据列表	MRF6P24190H Series
标准包装	150
其它名称	935321194128

MRF6P24190HR6相关搜索

封装/外壳 NI-1230 NXP USA Inc. 封装/外壳 NI-1230 晶体管 - FET，MOSFET - 射频封装/外壳 NI-1230 NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 射频封装/外壳 NI-1230 制造商 NXP USA Inc. NXP USA Inc. 制造商 NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 射频制造商 NXP USA Inc. NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 射频制造商 NXP USA Inc. 系列 - NXP USA Inc. 系列 - 晶体管 - FET，MOSFET - 射频系列 - NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 射频系列 - 包装带卷（TR） NXP USA Inc. 包装带卷（TR）晶体管 - FET，MOSFET - 射频包装带卷（TR） NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 射频包装带卷（TR）频率 2.39GHz NXP USA Inc. 频率 2.39GHz 晶体管 - FET，MOSFET - 射频频率 2.39GHz NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 射频频率 2.39GHz 零件状态上次购买时间 NXP USA Inc. 零件状态上次购买时间晶体管 - FET，MOSFET - 射频零件状态上次购买时间 NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 射频零件状态上次购买时间供应商器件封装 NI-1230 NXP USA Inc. 供应商器件封装 NI-1230 晶体管 - FET，MOSFET - 射频供应商器件封装 NI-1230 NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 射频供应商器件封装 NI-1230 电压 - 额定 68V NXP USA Inc. 电压 - 额定 68V 晶体管 - FET，MOSFET - 射频电压 - 额定 68V NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 射频电压 - 额定 68V 额定电流 - NXP USA Inc. 额定电流 - 晶体管 - FET，MOSFET - 射频额定电流 - NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 射频额定电流 - 晶体管类型 LDMOS NXP USA Inc. 晶体管类型 LDMOS 晶体管 - FET，MOSFET - 射频晶体管类型 LDMOS NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 射频晶体管类型 LDMOS 电流 - 测试 1.9A NXP USA Inc. 电流 - 测试 1.9A 晶体管 - FET，MOSFET - 射频电流 - 测试 1.9A NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 射频电流 - 测试 1.9A 增益 14dB NXP USA Inc. 增益 14dB 晶体管 - FET，MOSFET - 射频增益 14dB NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 射频增益 14dB 噪声系数 - NXP USA Inc. 噪声系数 - 晶体管 - FET，MOSFET - 射频噪声系数 - NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 射频噪声系数 - 电压 - 测试 28V NXP USA Inc. 电压 - 测试 28V 晶体管 - FET，MOSFET - 射频电压 - 测试 28V NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 射频电压 - 测试 28V 功率 - 输出 40W NXP USA Inc. 功率 - 输出 40W 晶体管 - FET，MOSFET - 射频功率 - 输出 40W NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 射频功率 - 输出 40W

邮箱：sales@szcwdz.com
Q Q：800152669
手机网站：m.szcwdz.com

美国1号品牌选型新加坡2号品牌选型

英国2号品牌选型英国10号品牌选型

日本5号品牌选型

st（意法）简介 | st产品 | st动态 | 产品应用 | st选型手册

Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号