MRF6V13250HR5,NXP USA Inc.,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 射频
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MRF6V13250HR5
MRF6V13250HR5 -
FET RF 120V 1.3GHZ NI780
不推荐用于新设计,因为可能有最低订货量限制。 请参阅“替代封装”或“替代品”选项。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
制造商产品编号:
MRF6V13250HR5
仓库库存编号:
MRF6V13250HR5-ND
描述:
FET RF 120V 1.3GHZ NI780
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
3(168 小时)
详细描述:
RF Mosfet LDMOS 50V 100mA 1.3GHz 22.7dB 250W NI-780
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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MRF6V13250HR5产品属性
产品规格
封装/外壳
NI-780
制造商
NXP USA Inc.
系列
-
包装
带卷(TR)
频率
1.3GHz
零件状态
不可用于新设计
供应商器件封装
NI-780
电压 - 额定
120V
额定电流
-
晶体管类型
LDMOS
电流 - 测试
100mA
增益
22.7dB
噪声系数
-
电压 - 测试
50V
功率 - 输出
250W
关键词
产品资料
标准包装
50
其它名称
935314557178
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封装/外壳 NI-780
NXP USA Inc. 封装/外壳 NI-780
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 封装/外壳 NI-780
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制造商 NXP USA Inc.
NXP USA Inc. 制造商 NXP USA Inc.
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 制造商 NXP USA Inc.
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系列 -
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包装 带卷(TR)
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晶体管 - FET,MOSFET - 射频 包装 带卷(TR)
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频率 1.3GHz
NXP USA Inc. 频率 1.3GHz
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 频率 1.3GHz
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零件状态 不可用于新设计
NXP USA Inc. 零件状态 不可用于新设计
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 零件状态 不可用于新设计
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供应商器件封装 NI-780
NXP USA Inc. 供应商器件封装 NI-780
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 供应商器件封装 NI-780
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电压 - 额定 120V
NXP USA Inc. 电压 - 额定 120V
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 电压 - 额定 120V
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额定电流 -
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晶体管 - FET,MOSFET - 射频 额定电流 -
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晶体管类型 LDMOS
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晶体管 - FET,MOSFET - 射频 晶体管类型 LDMOS
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电流 - 测试 100mA
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晶体管 - FET,MOSFET - 射频 电流 - 测试 100mA
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增益 22.7dB
NXP USA Inc. 增益 22.7dB
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 增益 22.7dB
NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 增益 22.7dB
噪声系数 -
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晶体管 - FET,MOSFET - 射频 噪声系数 -
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电压 - 测试 50V
NXP USA Inc. 电压 - 测试 50V
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 电压 - 测试 50V
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功率 - 输出 250W
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晶体管 - FET,MOSFET - 射频 功率 - 输出 250W
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