MRF7S18125AHR3,NXP USA Inc.,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 射频
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MRF7S18125AHR3
MRF7S18125AHR3 -
FET RF 65V 1.88GHZ NI780
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
制造商产品编号:
MRF7S18125AHR3
仓库库存编号:
MRF7S18125AHR3-ND
描述:
FET RF 65V 1.88GHZ NI780
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
3(168 小时)
详细描述:
RF Mosfet LDMOS 28V 1.1A 1.88GHz 17dB 125W NI-780
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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MRF7S18125AHR3产品属性
产品规格
封装/外壳
NI-780
制造商
NXP USA Inc.
系列
-
包装
带卷(TR)
频率
1.88GHz
零件状态
过期
供应商器件封装
NI-780
电压 - 额定
65V
额定电流
-
晶体管类型
LDMOS
电流 - 测试
1.1A
增益
17dB
噪声系数
-
电压 - 测试
28V
功率 - 输出
125W
关键词
产品资料
数据列表
MRF7S18125AHR3/HSR3
PCN 过时产品/ EOL
RF Devices 28/Jun/2011
标准包装
250
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NXP USA Inc. 封装/外壳 NI-780
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 封装/外壳 NI-780
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制造商 NXP USA Inc.
NXP USA Inc. 制造商 NXP USA Inc.
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 制造商 NXP USA Inc.
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系列 -
NXP USA Inc. 系列 -
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 系列 -
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包装 带卷(TR)
NXP USA Inc. 包装 带卷(TR)
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 包装 带卷(TR)
NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 包装 带卷(TR)
频率 1.88GHz
NXP USA Inc. 频率 1.88GHz
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 频率 1.88GHz
NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 频率 1.88GHz
零件状态 过期
NXP USA Inc. 零件状态 过期
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 零件状态 过期
NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 零件状态 过期
供应商器件封装 NI-780
NXP USA Inc. 供应商器件封装 NI-780
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 供应商器件封装 NI-780
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电压 - 额定 65V
NXP USA Inc. 电压 - 额定 65V
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 电压 - 额定 65V
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额定电流 -
NXP USA Inc. 额定电流 -
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 额定电流 -
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晶体管类型 LDMOS
NXP USA Inc. 晶体管类型 LDMOS
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 晶体管类型 LDMOS
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电流 - 测试 1.1A
NXP USA Inc. 电流 - 测试 1.1A
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 电流 - 测试 1.1A
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增益 17dB
NXP USA Inc. 增益 17dB
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 增益 17dB
NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 增益 17dB
噪声系数 -
NXP USA Inc. 噪声系数 -
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 噪声系数 -
NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 噪声系数 -
电压 - 测试 28V
NXP USA Inc. 电压 - 测试 28V
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 电压 - 测试 28V
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功率 - 输出 125W
NXP USA Inc. 功率 - 输出 125W
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 功率 - 输出 125W
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