MRF7S19120NR1,NXP USA Inc.,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 射频
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
>
MRF7S19120NR1
MRF7S19120NR1 -
FET RF 65V 1.99GHZ TO-270-4
零件状态:过时;购买截止日期:12-06-2017。可能有最低购买数量。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
制造商产品编号:
MRF7S19120NR1
仓库库存编号:
MRF7S19120NR1-ND
描述:
FET RF 65V 1.99GHZ TO-270-4
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
RF Mosfet LDMOS 28V 1.2A 1.99GHz 18dB 36W TO-270 WB-4
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
MRF7S19120NR1产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-270AB
制造商
NXP USA Inc.
系列
-
包装
带卷(TR)
频率
1.99GHz
零件状态
上次购买时间
供应商器件封装
TO-270 WB-4
电压 - 额定
65V
额定电流
-
晶体管类型
LDMOS
电流 - 测试
1.2A
增益
18dB
噪声系数
-
电压 - 测试
28V
功率 - 输出
36W
关键词
产品资料
数据列表
MRF7S19120NR1
标准包装
500
其它名称
935322767528
MRF7S19120NR1相关搜索
封装/外壳 TO-270AB
NXP USA Inc. 封装/外壳 TO-270AB
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 封装/外壳 TO-270AB
NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 封装/外壳 TO-270AB
制造商 NXP USA Inc.
NXP USA Inc. 制造商 NXP USA Inc.
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 制造商 NXP USA Inc.
NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 制造商 NXP USA Inc.
系列 -
NXP USA Inc. 系列 -
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 系列 -
NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 系列 -
包装 带卷(TR)
NXP USA Inc. 包装 带卷(TR)
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 包装 带卷(TR)
NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 包装 带卷(TR)
频率 1.99GHz
NXP USA Inc. 频率 1.99GHz
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 频率 1.99GHz
NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 频率 1.99GHz
零件状态 上次购买时间
NXP USA Inc. 零件状态 上次购买时间
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 零件状态 上次购买时间
NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 零件状态 上次购买时间
供应商器件封装 TO-270 WB-4
NXP USA Inc. 供应商器件封装 TO-270 WB-4
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 供应商器件封装 TO-270 WB-4
NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 供应商器件封装 TO-270 WB-4
电压 - 额定 65V
NXP USA Inc. 电压 - 额定 65V
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 电压 - 额定 65V
NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 电压 - 额定 65V
额定电流 -
NXP USA Inc. 额定电流 -
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 额定电流 -
NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 额定电流 -
晶体管类型 LDMOS
NXP USA Inc. 晶体管类型 LDMOS
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 晶体管类型 LDMOS
NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 晶体管类型 LDMOS
电流 - 测试 1.2A
NXP USA Inc. 电流 - 测试 1.2A
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 电流 - 测试 1.2A
NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 电流 - 测试 1.2A
增益 18dB
NXP USA Inc. 增益 18dB
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 增益 18dB
NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 增益 18dB
噪声系数 -
NXP USA Inc. 噪声系数 -
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 噪声系数 -
NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 噪声系数 -
电压 - 测试 28V
NXP USA Inc. 电压 - 测试 28V
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 电压 - 测试 28V
NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 电压 - 测试 28V
功率 - 输出 36W
NXP USA Inc. 功率 - 输出 36W
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 功率 - 输出 36W
NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 功率 - 输出 36W
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号