MRF8S21120HR3,NXP USA Inc.,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 射频
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MRF8S21120HR3 - 

FET RF 65V 2.17GHZ NI780H

  • 已过时的产品。
NXP USA Inc. MRF8S21120HR3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
MRF8S21120HR3
仓库库存编号:
MRF8S21120HR3-ND
描述:
FET RF 65V 2.17GHZ NI780H
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
RF Mosfet LDMOS 28V 850mA 2.17GHz 17.6dB 28W NI-780
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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MRF8S21120HR3产品属性


产品规格
  封装/外壳  NI-780  
  制造商  NXP USA Inc.  
  系列  -  
  包装  带卷(TR)   
  频率  2.17GHz  
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  NI-780  
  电压 - 额定  65V  
  额定电流  -  
  晶体管类型  LDMOS  
  电流 - 测试  850mA  
  增益  17.6dB  
  噪声系数  -  
  电压 - 测试  28V  
  功率 - 输出  28W  
关键词         

产品资料
数据列表 MRF8S21120HR3,HSR3
PCN 过时产品/ EOL Multiple Devices 23/Jan/2015
标准包装 250

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电话:400-900-3095
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