MRFE6S9130HSR5,NXP USA Inc.,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 射频
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MRFE6S9130HSR5
MRFE6S9130HSR5 -
FET RF 66V 880MHZ NI-780S
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
制造商产品编号:
MRFE6S9130HSR5
仓库库存编号:
MRFE6S9130HSR5-ND
描述:
FET RF 66V 880MHZ NI-780S
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
RF Mosfet LDMOS 28V 950mA 880MHz 19.2dB 27W NI-780S
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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MRFE6S9130HSR5产品属性
产品规格
封装/外壳
NI-780S
制造商
NXP USA Inc.
系列
-
包装
带卷(TR)
频率
880MHz
零件状态
过期
供应商器件封装
NI-780S
电压 - 额定
66V
额定电流
-
晶体管类型
LDMOS
电流 - 测试
950mA
增益
19.2dB
噪声系数
-
电压 - 测试
28V
功率 - 输出
27W
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数据列表
MRFE6S9130HR3/HSR3
标准包装
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封装/外壳 NI-780S
NXP USA Inc. 封装/外壳 NI-780S
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 封装/外壳 NI-780S
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制造商 NXP USA Inc.
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晶体管 - FET,MOSFET - 射频 制造商 NXP USA Inc.
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系列 -
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包装 带卷(TR)
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晶体管 - FET,MOSFET - 射频 包装 带卷(TR)
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频率 880MHz
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晶体管 - FET,MOSFET - 射频 频率 880MHz
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零件状态 过期
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晶体管 - FET,MOSFET - 射频 零件状态 过期
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供应商器件封装 NI-780S
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晶体管 - FET,MOSFET - 射频 供应商器件封装 NI-780S
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电压 - 额定 66V
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晶体管 - FET,MOSFET - 射频 电压 - 额定 66V
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额定电流 -
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晶体管 - FET,MOSFET - 射频 额定电流 -
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晶体管类型 LDMOS
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晶体管 - FET,MOSFET - 射频 晶体管类型 LDMOS
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电流 - 测试 950mA
NXP USA Inc. 电流 - 测试 950mA
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 电流 - 测试 950mA
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增益 19.2dB
NXP USA Inc. 增益 19.2dB
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 增益 19.2dB
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噪声系数 -
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电压 - 测试 28V
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晶体管 - FET,MOSFET - 射频 电压 - 测试 28V
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功率 - 输出 27W
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晶体管 - FET,MOSFET - 射频 功率 - 输出 27W
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