MRFG35003N6T1,NXP USA Inc.,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 射频
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MRFG35003N6T1
MRFG35003N6T1 -
FET RF 8V 3.55GHZ 1.5-PLD
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
制造商产品编号:
MRFG35003N6T1
仓库库存编号:
MRFG35003N6T1-ND
描述:
FET RF 8V 3.55GHZ 1.5-PLD
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
RF Mosfet pHEMT FET 6V 180mA 3.55GHz 9dB 3W PLD-1.5
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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MRFG35003N6T1产品属性
产品规格
封装/外壳
PLD-1.5
制造商
NXP USA Inc.
系列
-
包装
带卷(TR)
频率
3.55GHz
零件状态
过期
供应商器件封装
PLD-1.5
电压 - 额定
8V
额定电流
-
晶体管类型
pHEMT FET
电流 - 测试
180mA
增益
9dB
噪声系数
-
电压 - 测试
6V
功率 - 输出
3W
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MRFG35003N6T1
标准包装
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制造商 NXP USA Inc.
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晶体管 - FET,MOSFET - 射频 制造商 NXP USA Inc.
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系列 -
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包装 带卷(TR)
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晶体管 - FET,MOSFET - 射频 包装 带卷(TR)
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频率 3.55GHz
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晶体管 - FET,MOSFET - 射频 频率 3.55GHz
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零件状态 过期
NXP USA Inc. 零件状态 过期
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 零件状态 过期
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供应商器件封装 PLD-1.5
NXP USA Inc. 供应商器件封装 PLD-1.5
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电压 - 额定 8V
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晶体管类型 pHEMT FET
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电流 - 测试 180mA
NXP USA Inc. 电流 - 测试 180mA
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增益 9dB
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晶体管 - FET,MOSFET - 射频 增益 9dB
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噪声系数 -
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电压 - 测试 6V
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晶体管 - FET,MOSFET - 射频 电压 - 测试 6V
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功率 - 输出 3W
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晶体管 - FET,MOSFET - 射频 功率 - 输出 3W
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