MRFG35020AR5,NXP USA Inc.,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 射频
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
>
MRFG35020AR5
MRFG35020AR5 -
FET RF 15V 3.5GHZ NI-360
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
制造商产品编号:
MRFG35020AR5
仓库库存编号:
MRFG35020AR5-ND
描述:
FET RF 15V 3.5GHZ NI-360
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
RF Mosfet pHEMT FET 12V 300mA 3.5GHz 11.5dB 20W NI-360
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
MRFG35020AR5产品属性
产品规格
封装/外壳
NI-360
制造商
NXP USA Inc.
系列
-
包装
带卷(TR)
频率
3.5GHz
零件状态
过期
供应商器件封装
NI-360
电压 - 额定
15V
额定电流
-
晶体管类型
pHEMT FET
电流 - 测试
300mA
增益
11.5dB
噪声系数
-
电压 - 测试
12V
功率 - 输出
20W
关键词
产品资料
PCN 过时产品/ EOL
RF Devices 01/Jul/2010
标准包装
50
MRFG35020AR5相关搜索
封装/外壳 NI-360
NXP USA Inc. 封装/外壳 NI-360
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 封装/外壳 NI-360
NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 封装/外壳 NI-360
制造商 NXP USA Inc.
NXP USA Inc. 制造商 NXP USA Inc.
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 制造商 NXP USA Inc.
NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 制造商 NXP USA Inc.
系列 -
NXP USA Inc. 系列 -
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 系列 -
NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 系列 -
包装 带卷(TR)
NXP USA Inc. 包装 带卷(TR)
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 包装 带卷(TR)
NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 包装 带卷(TR)
频率 3.5GHz
NXP USA Inc. 频率 3.5GHz
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 频率 3.5GHz
NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 频率 3.5GHz
零件状态 过期
NXP USA Inc. 零件状态 过期
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 零件状态 过期
NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 零件状态 过期
供应商器件封装 NI-360
NXP USA Inc. 供应商器件封装 NI-360
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 供应商器件封装 NI-360
NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 供应商器件封装 NI-360
电压 - 额定 15V
NXP USA Inc. 电压 - 额定 15V
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 电压 - 额定 15V
NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 电压 - 额定 15V
额定电流 -
NXP USA Inc. 额定电流 -
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 额定电流 -
NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 额定电流 -
晶体管类型 pHEMT FET
NXP USA Inc. 晶体管类型 pHEMT FET
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 晶体管类型 pHEMT FET
NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 晶体管类型 pHEMT FET
电流 - 测试 300mA
NXP USA Inc. 电流 - 测试 300mA
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 电流 - 测试 300mA
NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 电流 - 测试 300mA
增益 11.5dB
NXP USA Inc. 增益 11.5dB
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 增益 11.5dB
NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 增益 11.5dB
噪声系数 -
NXP USA Inc. 噪声系数 -
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 噪声系数 -
NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 噪声系数 -
电压 - 测试 12V
NXP USA Inc. 电压 - 测试 12V
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 电压 - 测试 12V
NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 电压 - 测试 12V
功率 - 输出 20W
NXP USA Inc. 功率 - 输出 20W
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 功率 - 输出 20W
NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 功率 - 输出 20W
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号