PBLS2001S,115,NXP USA Inc.,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置
st代理商
专业代理销售st(意法)全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索:    
热门搜索词:电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

PBLS2001S,115 - 

TRANS NPN PREBIAS/PNP 1.5W 8SO

  • 已过时的产品。
NXP USA Inc. PBLS2001S,115
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
PBLS2001S,115
仓库库存编号:
568-7227-1-ND
描述:
TRANS NPN PREBIAS/PNP 1.5W 8SO
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 20V 100mA, 3A 100MHz 1.5W Surface Mount 8-SO
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

PBLS2001S,115产品属性


产品规格
  封装/外壳  8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)  
  制造商  NXP USA Inc.  
  安装类型  表面贴装  
  系列  -  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  8-SO  
  晶体管类型  1 NPN 预偏压式,1 PNP  
  不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)  30 @ 20mA,5V / 150 @ 2A,2V  
  电流 - 集电极截止(最大值)  1μA,100nA  
  不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)  150mV @ 500μA,10mA / 355mV @ 300mA,3A  
  频率 - 跃迁  100MHz  
  电阻器 - 基底(R1)(欧姆)  2.2k  
  电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆)  2.2k  
  功率 - 最大值  1.5W  
  电流 - 集电极(Ic)(最大值)  100mA,3A  
  电压 - 集射极击穿(最大值)  50V,20V  
关键词         

产品资料
数据列表 PBLS2001S
标准包装 1
其它名称 568-7227-1

PBLS2001S,115相关搜索

封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)  NXP USA Inc. 封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)   制造商 NXP USA Inc.  NXP USA Inc. 制造商 NXP USA Inc.  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 制造商 NXP USA Inc.  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 制造商 NXP USA Inc.   安装类型 表面贴装  NXP USA Inc. 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 安装类型 表面贴装  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 安装类型 表面贴装   系列 -  NXP USA Inc. 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 系列 -  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 系列 -   包装 剪切带(CT)   NXP USA Inc. 包装 剪切带(CT)   晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 包装 剪切带(CT)   NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 包装 剪切带(CT)    零件状态 过期  NXP USA Inc. 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 零件状态 过期  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 零件状态 过期   供应商器件封装 8-SO  NXP USA Inc. 供应商器件封装 8-SO  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 供应商器件封装 8-SO  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 供应商器件封装 8-SO   晶体管类型 1 NPN 预偏压式,1 PNP  NXP USA Inc. 晶体管类型 1 NPN 预偏压式,1 PNP  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 晶体管类型 1 NPN 预偏压式,1 PNP  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 晶体管类型 1 NPN 预偏压式,1 PNP   不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 20mA,5V / 150 @ 2A,2V  NXP USA Inc. 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 20mA,5V / 150 @ 2A,2V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 20mA,5V / 150 @ 2A,2V  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 20mA,5V / 150 @ 2A,2V   电流 - 集电极截止(最大值) 1μA,100nA  NXP USA Inc. 电流 - 集电极截止(最大值) 1μA,100nA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电流 - 集电极截止(最大值) 1μA,100nA  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电流 - 集电极截止(最大值) 1μA,100nA   不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 150mV @ 500μA,10mA / 355mV @ 300mA,3A  NXP USA Inc. 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 150mV @ 500μA,10mA / 355mV @ 300mA,3A  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 150mV @ 500μA,10mA / 355mV @ 300mA,3A  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 150mV @ 500μA,10mA / 355mV @ 300mA,3A   频率 - 跃迁 100MHz  NXP USA Inc. 频率 - 跃迁 100MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 频率 - 跃迁 100MHz  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 频率 - 跃迁 100MHz   电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 2.2k  NXP USA Inc. 电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 2.2k  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 2.2k  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 2.2k   电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 2.2k  NXP USA Inc. 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 2.2k  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 2.2k  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 2.2k   功率 - 最大值 1.5W  NXP USA Inc. 功率 - 最大值 1.5W  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 功率 - 最大值 1.5W  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 功率 - 最大值 1.5W   电流 - 集电极(Ic)(最大值) 100mA,3A  NXP USA Inc. 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 100mA,3A  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 100mA,3A  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 100mA,3A   电压 - 集射极击穿(最大值) 50V,20V  NXP USA Inc. 电压 - 集射极击穿(最大值) 50V,20V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电压 - 集射极击穿(最大值) 50V,20V  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电压 - 集射极击穿(最大值) 50V,20V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st(意法)简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号