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产品规格

封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
制造商	NXP USA Inc.
安装类型	表面贴装
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	过期
供应商器件封装	8-SO
晶体管类型	1 NPN 预偏压式，1 PNP
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	30 @ 10mA，5V / 150 @ 2A，2V
电流 - 集电极截止（最大值）	1μA，100nA
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	150mV @ 500μA，10mA / 355mV @ 300mA，3A
频率 - 跃迁	100MHz
电阻器 - 基底（R1）（欧姆）	4.7k
电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）	4.7k
功率 - 最大值	1.5W
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	100mA，3A
电压 - 集射极击穿（最大值）	50V，20V
关键词

产品资料

数据列表	PBLS2002S
标准包装	1
其它名称	568-7229-1

封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  NXP USA Inc. 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）   制造商 NXP USA Inc.  NXP USA Inc. 制造商 NXP USA Inc.  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 制造商 NXP USA Inc.  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 制造商 NXP USA Inc.   安装类型 表面贴装  NXP USA Inc. 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 安装类型 表面贴装  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 安装类型 表面贴装   系列 -  NXP USA Inc. 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 系列 -  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 系列 -   包装 剪切带（CT）   NXP USA Inc. 包装 剪切带（CT）   晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 包装 剪切带（CT）   NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 包装 剪切带（CT）    零件状态 过期  NXP USA Inc. 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 零件状态 过期  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 零件状态 过期   供应商器件封装 8-SO  NXP USA Inc. 供应商器件封装 8-SO  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 供应商器件封装 8-SO  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 供应商器件封装 8-SO   晶体管类型 1 NPN 预偏压式，1 PNP  NXP USA Inc. 晶体管类型 1 NPN 预偏压式，1 PNP  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 晶体管类型 1 NPN 预偏压式，1 PNP  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 晶体管类型 1 NPN 预偏压式，1 PNP   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 10mA，5V / 150 @ 2A，2V  NXP USA Inc. 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 10mA，5V / 150 @ 2A，2V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 10mA，5V / 150 @ 2A，2V  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 10mA，5V / 150 @ 2A，2V   电流 - 集电极截止（最大值） 1μA，100nA  NXP USA Inc. 电流 - 集电极截止（最大值） 1μA，100nA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电流 - 集电极截止（最大值） 1μA，100nA  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电流 - 集电极截止（最大值） 1μA，100nA   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 150mV @ 500μA，10mA / 355mV @ 300mA，3A  NXP USA Inc. 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 150mV @ 500μA，10mA / 355mV @ 300mA，3A  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 150mV @ 500μA，10mA / 355mV @ 300mA，3A  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 150mV @ 500μA，10mA / 355mV @ 300mA，3A   频率 - 跃迁 100MHz  NXP USA Inc. 频率 - 跃迁 100MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 频率 - 跃迁 100MHz  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 频率 - 跃迁 100MHz   电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 4.7k  NXP USA Inc. 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 4.7k  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 4.7k  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 4.7k   电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 4.7k  NXP USA Inc. 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 4.7k  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 4.7k  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 4.7k   功率 - 最大值 1.5W  NXP USA Inc. 功率 - 最大值 1.5W  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 功率 - 最大值 1.5W  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 功率 - 最大值 1.5W   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA，3A  NXP USA Inc. 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA，3A  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA，3A  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA，3A   电压 - 集射极击穿（最大值） 50V，20V  NXP USA Inc. 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V，20V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V，20V  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V，20V