PBLS4003V,115,NXP USA Inc.,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置
st代理商
专业代理销售st（意法）全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索：    
热门搜索词：电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

PBLS4003V,115 - 

TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666

  • 已过时的产品。
NXP USA Inc. PBLS4003V,115
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
PBLS4003V,115
仓库库存编号：
568-7240-1-ND
描述：
TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 40V 100mA, 500mA 300MHz 300mW Surface Mount SOT-666
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

PBLS4003V,115产品属性


产品规格
  封装/外壳  SOT-563，SOT-666  
  制造商  NXP USA Inc.  
  安装类型  表面贴装  
  系列  -  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  SOT-666  
  晶体管类型  1 NPN 预偏压式，1 PNP  
  不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）  30 @ 5mA，5V / 150 @ 100mA. 2V  
  电流 - 集电极截止（最大值）  1μA  
  不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）  150mV @ 500μA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA  
  频率 - 跃迁  300MHz  
  电阻器 - 基底（R1）（欧姆）  10k  
  电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）  10k  
  功率 - 最大值  300mW  
  电流 - 集电极（Ic）（最大值）  100mA，500mA  
  电压 - 集射极击穿（最大值）  50V，40V  
关键词         

产品资料
数据列表 PBLS4003Y T/R
标准包装 1
其它名称 568-7240-1

PBLS4003V,115相关搜索

封装/外壳 SOT-563，SOT-666  NXP USA Inc. 封装/外壳 SOT-563，SOT-666  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 封装/外壳 SOT-563，SOT-666  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 封装/外壳 SOT-563，SOT-666   制造商 NXP USA Inc.  NXP USA Inc. 制造商 NXP USA Inc.  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 制造商 NXP USA Inc.  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 制造商 NXP USA Inc.   安装类型 表面贴装  NXP USA Inc. 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 安装类型 表面贴装  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 安装类型 表面贴装   系列 -  NXP USA Inc. 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 系列 -  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 系列 -   包装 剪切带（CT）   NXP USA Inc. 包装 剪切带（CT）   晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 包装 剪切带（CT）   NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 包装 剪切带（CT）    零件状态 过期  NXP USA Inc. 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 零件状态 过期  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 零件状态 过期   供应商器件封装 SOT-666  NXP USA Inc. 供应商器件封装 SOT-666  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 供应商器件封装 SOT-666  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 供应商器件封装 SOT-666   晶体管类型 1 NPN 预偏压式，1 PNP  NXP USA Inc. 晶体管类型 1 NPN 预偏压式，1 PNP  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 晶体管类型 1 NPN 预偏压式，1 PNP  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 晶体管类型 1 NPN 预偏压式，1 PNP   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 5mA，5V / 150 @ 100mA. 2V  NXP USA Inc. 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 5mA，5V / 150 @ 100mA. 2V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 5mA，5V / 150 @ 100mA. 2V  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 5mA，5V / 150 @ 100mA. 2V   电流 - 集电极截止（最大值） 1μA  NXP USA Inc. 电流 - 集电极截止（最大值） 1μA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电流 - 集电极截止（最大值） 1μA  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电流 - 集电极截止（最大值） 1μA   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 150mV @ 500μA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA  NXP USA Inc. 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 150mV @ 500μA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 150mV @ 500μA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 150mV @ 500μA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA   频率 - 跃迁 300MHz  NXP USA Inc. 频率 - 跃迁 300MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 频率 - 跃迁 300MHz  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 频率 - 跃迁 300MHz   电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 10k  NXP USA Inc. 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 10k  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 10k  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 10k   电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 10k  NXP USA Inc. 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 10k  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 10k  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 10k   功率 - 最大值 300mW  NXP USA Inc. 功率 - 最大值 300mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 功率 - 最大值 300mW  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 功率 - 最大值 300mW   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA，500mA  NXP USA Inc. 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA，500mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA，500mA  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA，500mA   电压 - 集射极击穿（最大值） 50V，40V  NXP USA Inc. 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V，40V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V，40V  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V，40V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st（意法）简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号