PBR941,215,NXP USA Inc.,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 射频
st代理商
专业代理销售st(意法)全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索:    
热门搜索词:电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

PBR941,215 - 

TRANSISTOR NPN UHF 50MA SOT23

NXP USA Inc. PBR941,215
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
PBR941,215
仓库库存编号:
568-1174-1-ND
描述:
TRANSISTOR NPN UHF 50MA SOT23
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
RF Transistor NPN 10V 50mA 8GHz 360mW Surface Mount TO-236AB (SOT23)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

PBR941,215产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-236-3,SC-59,SOT-23-3  
  制造商  NXP USA Inc.  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  175°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  TO-236AB(SOT23)  
  晶体管类型  NPN  
  不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)  50 @ 5mA,6V  
  频率 - 跃迁  8GHz  
  功率 - 最大值  360mW  
  电流 - 集电极(Ic)(最大值)  50mA  
  电压 - 集射极击穿(最大值)  10V  
  增益  -  
  噪声系数(dB,不同 f 时的典型值)  1.4dB ~ 2dB @ 1GHz ~ 2GHz  
关键词         

产品资料
数据列表 PBR941
标准包装 1
其它名称 568-1174-1

PBR941,215您可能还对以下元器件感兴趣

  • 参考图片
  • 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
  • PDF
  • 操作

PBR941,215相关搜索

封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3  NXP USA Inc. 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3   制造商 NXP USA Inc.  NXP USA Inc. 制造商 NXP USA Inc.  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 NXP USA Inc.  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 NXP USA Inc.   安装类型 表面贴装  NXP USA Inc. 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装   工作温度 175°C(TJ)  NXP USA Inc. 工作温度 175°C(TJ)  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 175°C(TJ)  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 175°C(TJ)   系列 -  NXP USA Inc. 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -   包装 剪切带(CT)   NXP USA Inc. 包装 剪切带(CT)   晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 剪切带(CT)   NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 剪切带(CT)    零件状态 在售  NXP USA Inc. 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 在售  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 在售   供应商器件封装 TO-236AB(SOT23)  NXP USA Inc. 供应商器件封装 TO-236AB(SOT23)  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 TO-236AB(SOT23)  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 TO-236AB(SOT23)   晶体管类型 NPN  NXP USA Inc. 晶体管类型 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN   不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 50 @ 5mA,6V  NXP USA Inc. 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 50 @ 5mA,6V  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 50 @ 5mA,6V  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 50 @ 5mA,6V   频率 - 跃迁 8GHz  NXP USA Inc. 频率 - 跃迁 8GHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 8GHz  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 8GHz   功率 - 最大值 360mW  NXP USA Inc. 功率 - 最大值 360mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 360mW  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 360mW   电流 - 集电极(Ic)(最大值) 50mA  NXP USA Inc. 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 50mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 50mA  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 50mA   电压 - 集射极击穿(最大值) 10V  NXP USA Inc. 电压 - 集射极击穿(最大值) 10V  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿(最大值) 10V  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿(最大值) 10V   增益 -  NXP USA Inc. 增益 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 -  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 -   噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) 1.4dB ~ 2dB @ 1GHz ~ 2GHz  NXP USA Inc. 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) 1.4dB ~ 2dB @ 1GHz ~ 2GHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) 1.4dB ~ 2dB @ 1GHz ~ 2GHz  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) 1.4dB ~ 2dB @ 1GHz ~ 2GHz  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st(意法)简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号