关于我们 | 联系我们

库存查询

• 已过时的产品。

产品规格

封装/外壳	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
制造商	NXP USA Inc.
安装类型	通孔
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	过期
供应商器件封装	TO-92-3
晶体管类型	NPN
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	40 @ 10mA，1V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	15V
Power - Max	500mW
电流 - 集电极截止（最大值）	400nA（ICBO）
Current - Collector (Ic) (Max)	200mA
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	250mV @ 1mA，10mA
频率 - 跃迁	500MHz
关键词

产品资料

标准包装	2,000
其它名称	933450090116 PH2369 T/R PH2369 T/R-ND

封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）  NXP USA Inc. 封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）   制造商 NXP USA Inc.  NXP USA Inc. 制造商 NXP USA Inc.  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 NXP USA Inc.  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 NXP USA Inc.   安装类型 通孔  NXP USA Inc. 安装类型 通孔  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔   工作温度 150°C（TJ）  NXP USA Inc. 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C（TJ）  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  NXP USA Inc. 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 带卷（TR）   NXP USA Inc. 包装 带卷（TR）   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 带卷（TR）   NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 带卷（TR）    零件状态 过期  NXP USA Inc. 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 过期  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 TO-92-3  NXP USA Inc. 供应商器件封装 TO-92-3  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-92-3  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-92-3   晶体管类型 NPN  NXP USA Inc. 晶体管类型 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 40 @ 10mA，1V  NXP USA Inc. 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 40 @ 10mA，1V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 40 @ 10mA，1V  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 40 @ 10mA，1V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 15V  NXP USA Inc. Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 15V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 15V  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 15V   Power - Max 500mW  NXP USA Inc. Power - Max 500mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 500mW  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 500mW   电流 - 集电极截止（最大值） 400nA（ICBO）  NXP USA Inc. 电流 - 集电极截止（最大值） 400nA（ICBO）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 400nA（ICBO）  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 400nA（ICBO）   Current - Collector (Ic) (Max) 200mA  NXP USA Inc. Current - Collector (Ic) (Max) 200mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 200mA  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 200mA   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 250mV @ 1mA，10mA  NXP USA Inc. 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 250mV @ 1mA，10mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 250mV @ 1mA，10mA  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 250mV @ 1mA，10mA   频率 - 跃迁 500MHz  NXP USA Inc. 频率 - 跃迁 500MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 500MHz  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 500MHz