PH3830L,115,NXP USA Inc.,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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PH3830L,115
PH3830L,115 -
MOSFET N-CH 30V 98A LFPAK
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
制造商产品编号:
PH3830L,115
仓库库存编号:
568-2346-1-ND
描述:
MOSFET N-CH 30V 98A LFPAK
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 30V 98A(Tc) 62.5W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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PH3830L,115产品属性
产品规格
封装/外壳
SC-100,SOT-669
制造商
NXP USA Inc.
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
TrenchMOS??
包装
剪切带(CT)
零件状态
过期
供应商器件封装
LFPAK56,Power-SO8
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
33nC @ 5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
3.8 毫欧 @ 25A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
5V,10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
98A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
3190pF @ 10V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2V @ 1mA
功率耗散(最大值)
62.5W(Tc)
漏源电压(Vdss)
30V
关键词
产品资料
标准包装
1
其它名称
568-2346-1
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封装/外壳 SC-100,SOT-669
NXP USA Inc. 封装/外壳 SC-100,SOT-669
晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 SC-100,SOT-669
NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 SC-100,SOT-669
制造商 NXP USA Inc.
NXP USA Inc. 制造商 NXP USA Inc.
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 NXP USA Inc.
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安装类型 表面贴装
NXP USA Inc. 安装类型 表面贴装
晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
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工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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系列 TrenchMOS??
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 TrenchMOS??
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包装 剪切带(CT)
NXP USA Inc. 包装 剪切带(CT)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
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零件状态 过期
NXP USA Inc. 零件状态 过期
晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 过期
NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 过期
供应商器件封装 LFPAK56,Power-SO8
NXP USA Inc. 供应商器件封装 LFPAK56,Power-SO8
晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 LFPAK56,Power-SO8
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技术 MOSFET(金属氧化物)
NXP USA Inc. 技术 MOSFET(金属氧化物)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
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Vgs(最大值) ±20V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±20V
NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 5V
NXP USA Inc. 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 5V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 5V
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不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.8 毫欧 @ 25A,10V
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驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V
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FET 类型 N 沟道
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电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 98A(Tc)
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3190pF @ 10V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3190pF @ 10V
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FET 功能 -
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA
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功率耗散(最大值) 62.5W(Tc)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 62.5W(Tc)
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漏源电压(Vdss) 30V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 30V
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