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产品规格

封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
制造商	NXP USA Inc.
安装类型	表面贴装
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	过期
供应商器件封装	SOT-23（TO-236AB）
FET 类型	P 沟道
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	8pF @ 10V（VGS）
漏源电压（Vdss）	30V
Power - Max	300mW
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）	2mA @ 15V
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）	1V @ 10nA
电压 - 击穿（V（BR）GSS）	30V
电阻 - RDS（开）	250 欧姆
关键词

产品资料

数据列表	PMBFJ174-177
标准包装	1
其它名称	568-2082-1

封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  NXP USA Inc. 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  晶体管 - JFET 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  NXP USA Inc. 晶体管 - JFET 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3   制造商 NXP USA Inc.  NXP USA Inc. 制造商 NXP USA Inc.  晶体管 - JFET 制造商 NXP USA Inc.  NXP USA Inc. 晶体管 - JFET 制造商 NXP USA Inc.   安装类型 表面贴装  NXP USA Inc. 安装类型 表面贴装  晶体管 - JFET 安装类型 表面贴装  NXP USA Inc. 晶体管 - JFET 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  NXP USA Inc. 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - JFET 工作温度 150°C（TJ）  NXP USA Inc. 晶体管 - JFET 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  NXP USA Inc. 系列 -  晶体管 - JFET 系列 -  NXP USA Inc. 晶体管 - JFET 系列 -   包装 剪切带（CT）   NXP USA Inc. 包装 剪切带（CT）   晶体管 - JFET 包装 剪切带（CT）   NXP USA Inc. 晶体管 - JFET 包装 剪切带（CT）    零件状态 过期  NXP USA Inc. 零件状态 过期  晶体管 - JFET 零件状态 过期  NXP USA Inc. 晶体管 - JFET 零件状态 过期   供应商器件封装 SOT-23（TO-236AB）  NXP USA Inc. 供应商器件封装 SOT-23（TO-236AB）  晶体管 - JFET 供应商器件封装 SOT-23（TO-236AB）  NXP USA Inc. 晶体管 - JFET 供应商器件封装 SOT-23（TO-236AB）   FET 类型 P 沟道  NXP USA Inc. FET 类型 P 沟道  晶体管 - JFET FET 类型 P 沟道  NXP USA Inc. 晶体管 - JFET FET 类型 P 沟道   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 8pF @ 10V（VGS）  NXP USA Inc. 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 8pF @ 10V（VGS）  晶体管 - JFET 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 8pF @ 10V（VGS）  NXP USA Inc. 晶体管 - JFET 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 8pF @ 10V（VGS）   漏源电压（Vdss） 30V  NXP USA Inc. 漏源电压（Vdss） 30V  晶体管 - JFET 漏源电压（Vdss） 30V  NXP USA Inc. 晶体管 - JFET 漏源电压（Vdss） 30V   Power - Max 300mW  NXP USA Inc. Power - Max 300mW  晶体管 - JFET Power - Max 300mW  NXP USA Inc. 晶体管 - JFET Power - Max 300mW   不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 2mA @ 15V  NXP USA Inc. 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 2mA @ 15V  晶体管 - JFET 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 2mA @ 15V  NXP USA Inc. 晶体管 - JFET 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 2mA @ 15V   不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） 1V @ 10nA  NXP USA Inc. 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） 1V @ 10nA  晶体管 - JFET 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） 1V @ 10nA  NXP USA Inc. 晶体管 - JFET 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） 1V @ 10nA   电压 - 击穿（V（BR）GSS） 30V  NXP USA Inc. 电压 - 击穿（V（BR）GSS） 30V  晶体管 - JFET 电压 - 击穿（V（BR）GSS） 30V  NXP USA Inc. 晶体管 - JFET 电压 - 击穿（V（BR）GSS） 30V   电阻 - RDS（开） 250 欧姆  NXP USA Inc. 电阻 - RDS（开） 250 欧姆  晶体管 - JFET 电阻 - RDS（开） 250 欧姆  NXP USA Inc. 晶体管 - JFET 电阻 - RDS（开） 250 欧姆