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产品规格

封装/外壳	6-UDFN 裸露焊盘
制造商	NXP USA Inc.
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	过期
供应商器件封装	DFN2020-6
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	3.5nC @ 4.5V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	50 毫欧 @ 3.9A，4.5V
FET 类型	2 个 N 沟道（双）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	3.9A
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	185pF @ 10V
FET 功能	逻辑电平门
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1V @ 250μA
漏源电压（Vdss）	20V
功率 - 最大值	510mW
关键词

产品资料

数据列表	PMDPB42UN
标准包装	1
其它名称	568-10758-1

封装/外壳 6-UDFN 裸露焊盘  NXP USA Inc. 封装/外壳 6-UDFN 裸露焊盘  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 6-UDFN 裸露焊盘  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 6-UDFN 裸露焊盘   制造商 NXP USA Inc.  NXP USA Inc. 制造商 NXP USA Inc.  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 NXP USA Inc.  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 NXP USA Inc.   安装类型 表面贴装  NXP USA Inc. 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  NXP USA Inc. 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  NXP USA Inc. 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -   包装 剪切带（CT）   NXP USA Inc. 包装 剪切带（CT）   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）   NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）    零件状态 过期  NXP USA Inc. 零件状态 过期  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 过期  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 过期   供应商器件封装 DFN2020-6  NXP USA Inc. 供应商器件封装 DFN2020-6  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 DFN2020-6  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 DFN2020-6   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 3.5nC @ 4.5V  NXP USA Inc. 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 3.5nC @ 4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 3.5nC @ 4.5V  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 3.5nC @ 4.5V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 50 毫欧 @ 3.9A，4.5V  NXP USA Inc. 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 50 毫欧 @ 3.9A，4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 50 毫欧 @ 3.9A，4.5V  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 50 毫欧 @ 3.9A，4.5V   FET 类型 2 个 N 沟道（双）  NXP USA Inc. FET 类型 2 个 N 沟道（双）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道（双）  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道（双）   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.9A  NXP USA Inc. 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.9A  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.9A  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.9A   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 185pF @ 10V  NXP USA Inc. 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 185pF @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 185pF @ 10V  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 185pF @ 10V   FET 功能 逻辑电平门  NXP USA Inc. FET 功能 逻辑电平门  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA  NXP USA Inc. 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA   漏源电压（Vdss） 20V  NXP USA Inc. 漏源电压（Vdss） 20V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 20V  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 20V   功率 - 最大值 510mW  NXP USA Inc. 功率 - 最大值 510mW  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 510mW  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 510mW