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产品规格

封装/外壳	5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353
制造商	NXP USA Inc.
安装类型	表面贴装
工作温度	125°C（TJ）
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	过期
供应商器件封装	5-TSSOP
晶体管类型	NPN + 二极管（隔离式）
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	150 @ 100mA，2V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	15V
Power - Max	300mW
电流 - 集电极截止（最大值）	100nA（ICBO）
Current - Collector (Ic) (Max)	500mA
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	250mV @ 50mA，500mA
频率 - 跃迁	420MHz
关键词

产品资料

标准包装	3,000
其它名称	934058019115 PMEM1505NG T/R PMEM1505NG T/R-ND

封装/外壳 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353  NXP USA Inc. 封装/外壳 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353   制造商 NXP USA Inc.  NXP USA Inc. 制造商 NXP USA Inc.  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 NXP USA Inc.  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 NXP USA Inc.   安装类型 表面贴装  NXP USA Inc. 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 125°C（TJ）  NXP USA Inc. 工作温度 125°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 125°C（TJ）  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 125°C（TJ）   系列 -  NXP USA Inc. 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 带卷（TR）   NXP USA Inc. 包装 带卷（TR）   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 带卷（TR）   NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 带卷（TR）    零件状态 过期  NXP USA Inc. 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 过期  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 5-TSSOP  NXP USA Inc. 供应商器件封装 5-TSSOP  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 5-TSSOP  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 5-TSSOP   晶体管类型 NPN + 二极管（隔离式）  NXP USA Inc. 晶体管类型 NPN + 二极管（隔离式）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN + 二极管（隔离式）  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN + 二极管（隔离式）   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 150 @ 100mA，2V  NXP USA Inc. 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 150 @ 100mA，2V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 150 @ 100mA，2V  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 150 @ 100mA，2V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 15V  NXP USA Inc. Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 15V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 15V  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 15V   Power - Max 300mW  NXP USA Inc. Power - Max 300mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 300mW  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 300mW   电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  NXP USA Inc. 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）   Current - Collector (Ic) (Max) 500mA  NXP USA Inc. Current - Collector (Ic) (Max) 500mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 500mA  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 500mA   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 250mV @ 50mA，500mA  NXP USA Inc. 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 250mV @ 50mA，500mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 250mV @ 50mA，500mA  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 250mV @ 50mA，500mA   频率 - 跃迁 420MHz  NXP USA Inc. 频率 - 跃迁 420MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 420MHz  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 420MHz