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产品规格

封装/外壳	SC-74，SOT-457
制造商	NXP USA Inc.
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	TrenchMOS??
包装	带卷（TR）
零件状态	过期
供应商器件封装	6-TSOP
技术	MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值）	±12V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	10nC @ 4.5V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	60 毫欧 @ 2.8A，4.5V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	2.5V，4.5V
FET 类型	P 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	4.8A（Tc）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1020pF @ 20V
FET 功能	-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	950mV @ 250μA
功率耗散（最大值）	2.2W（Tc）
漏源电压（Vdss）	20V
关键词

产品资料

数据列表	PMN50XP
标准包装	10,000
其它名称	934058528165 PMN50XP /T2 PMN50XP /T2-ND

封装/外壳 SC-74，SOT-457  NXP USA Inc. 封装/外壳 SC-74，SOT-457  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 SC-74，SOT-457  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 SC-74，SOT-457   制造商 NXP USA Inc.  NXP USA Inc. 制造商 NXP USA Inc.  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 NXP USA Inc.  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 NXP USA Inc.   安装类型 表面贴装  NXP USA Inc. 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  NXP USA Inc. 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 TrenchMOS??  NXP USA Inc. 系列 TrenchMOS??  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 TrenchMOS??  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 TrenchMOS??   包装 带卷（TR）   NXP USA Inc. 包装 带卷（TR）   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 带卷（TR）   NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 带卷（TR）    零件状态 过期  NXP USA Inc. 零件状态 过期  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 过期  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 6-TSOP  NXP USA Inc. 供应商器件封装 6-TSOP  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 6-TSOP  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 6-TSOP   技术 MOSFET（金属氧化物）  NXP USA Inc. 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   Vgs（最大值） ±12V  NXP USA Inc. Vgs（最大值） ±12V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±12V  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±12V   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 4.5V  NXP USA Inc. 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 4.5V  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 4.5V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 60 毫欧 @ 2.8A，4.5V  NXP USA Inc. 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 60 毫欧 @ 2.8A，4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 60 毫欧 @ 2.8A，4.5V  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 60 毫欧 @ 2.8A，4.5V   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V  NXP USA Inc. 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V   FET 类型 P 沟道  NXP USA Inc. FET 类型 P 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 P 沟道  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 P 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.8A（Tc）  NXP USA Inc. 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.8A（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.8A（Tc）  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.8A（Tc）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1020pF @ 20V  NXP USA Inc. 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1020pF @ 20V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1020pF @ 20V  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1020pF @ 20V   FET 功能 -  NXP USA Inc. FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 950mV @ 250μA  NXP USA Inc. 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 950mV @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 950mV @ 250μA  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 950mV @ 250μA   功率耗散（最大值） 2.2W（Tc）  NXP USA Inc. 功率耗散（最大值） 2.2W（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 2.2W（Tc）  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 2.2W（Tc）   漏源电压（Vdss） 20V  NXP USA Inc. 漏源电压（Vdss） 20V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 20V  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 20V