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产品规格

封装/外壳	SC-75，SOT-416
制造商	NXP USA Inc.
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	过期
供应商器件封装	SC-75
技术	MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值）	±8V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	1.14nC @ 4.5V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	850 毫欧 @ 400mA，4.5V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	1.8V，4.5V
FET 类型	P 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	480mA（Ta）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	87pF @ 10V
FET 功能	-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1.3V @ 250μA
功率耗散（最大值）	250mW（Ta），770mW（Tc）
漏源电压（Vdss）	20V
关键词

产品资料

数据列表	PMR670UPE
标准包装	1
其它名称	568-10825-1

封装/外壳 SC-75，SOT-416  NXP USA Inc. 封装/外壳 SC-75，SOT-416  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 SC-75，SOT-416  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 SC-75，SOT-416   制造商 NXP USA Inc.  NXP USA Inc. 制造商 NXP USA Inc.  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 NXP USA Inc.  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 NXP USA Inc.   安装类型 表面贴装  NXP USA Inc. 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  NXP USA Inc. 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  NXP USA Inc. 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -   包装 剪切带（CT）   NXP USA Inc. 包装 剪切带（CT）   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）   NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态 过期  NXP USA Inc. 零件状态 过期  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 过期  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 SC-75  NXP USA Inc. 供应商器件封装 SC-75  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 SC-75  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 SC-75   技术 MOSFET（金属氧化物）  NXP USA Inc. 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   Vgs（最大值） ±8V  NXP USA Inc. Vgs（最大值） ±8V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±8V  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±8V   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.14nC @ 4.5V  NXP USA Inc. 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.14nC @ 4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.14nC @ 4.5V  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.14nC @ 4.5V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 850 毫欧 @ 400mA，4.5V  NXP USA Inc. 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 850 毫欧 @ 400mA，4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 850 毫欧 @ 400mA，4.5V  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 850 毫欧 @ 400mA，4.5V   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.8V，4.5V  NXP USA Inc. 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.8V，4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.8V，4.5V  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.8V，4.5V   FET 类型 P 沟道  NXP USA Inc. FET 类型 P 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 P 沟道  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 P 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 480mA（Ta）  NXP USA Inc. 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 480mA（Ta）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 480mA（Ta）  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 480mA（Ta）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 87pF @ 10V  NXP USA Inc. 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 87pF @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 87pF @ 10V  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 87pF @ 10V   FET 功能 -  NXP USA Inc. FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.3V @ 250μA  NXP USA Inc. 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.3V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.3V @ 250μA  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.3V @ 250μA   功率耗散（最大值） 250mW（Ta），770mW（Tc）  NXP USA Inc. 功率耗散（最大值） 250mW（Ta），770mW（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 250mW（Ta），770mW（Tc）  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 250mW（Ta），770mW（Tc）   漏源电压（Vdss） 20V  NXP USA Inc. 漏源电压（Vdss） 20V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 20V  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 20V