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• 不提供增值包装；备有另选包装。

产品规格

封装/外壳	SC-70，SOT-323
制造商	NXP USA Inc.
安装类型	表面贴装
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	已不再提供
供应商器件封装	SOT-323-3
晶体管类型	NPN
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	100 @ 10mA，1V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	40V
Power - Max	200mW
电流 - 集电极截止（最大值）	50nA（ICBO）
Current - Collector (Ic) (Max)	200mA
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	300mV @ 5mA，50mA
频率 - 跃迁	300MHz
关键词

产品资料

标准包装	1
其它名称	568-5576-1

封装/外壳 SC-70，SOT-323  NXP USA Inc. 封装/外壳 SC-70，SOT-323  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 SC-70，SOT-323  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 SC-70，SOT-323   制造商 NXP USA Inc.  NXP USA Inc. 制造商 NXP USA Inc.  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 NXP USA Inc.  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 NXP USA Inc.   安装类型 表面贴装  NXP USA Inc. 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  NXP USA Inc. 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C（TJ）  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  NXP USA Inc. 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 剪切带（CT）   NXP USA Inc. 包装 剪切带（CT）   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带（CT）   NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态  已不再提供  NXP USA Inc. 零件状态  已不再提供  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态  已不再提供  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态  已不再提供   供应商器件封装 SOT-323-3  NXP USA Inc. 供应商器件封装 SOT-323-3  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 SOT-323-3  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 SOT-323-3   晶体管类型 NPN  NXP USA Inc. 晶体管类型 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 10mA，1V  NXP USA Inc. 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 10mA，1V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 10mA，1V  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 10mA，1V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V  NXP USA Inc. Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V   Power - Max 200mW  NXP USA Inc. Power - Max 200mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 200mW  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 200mW   电流 - 集电极截止（最大值） 50nA（ICBO）  NXP USA Inc. 电流 - 集电极截止（最大值） 50nA（ICBO）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 50nA（ICBO）  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 50nA（ICBO）   Current - Collector (Ic) (Max) 200mA  NXP USA Inc. Current - Collector (Ic) (Max) 200mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 200mA  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 200mA   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 5mA，50mA  NXP USA Inc. 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 5mA，50mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 5mA，50mA  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 5mA，50mA   频率 - 跃迁 300MHz  NXP USA Inc. 频率 - 跃迁 300MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 300MHz  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 300MHz