PMV20XN,215,NXP USA Inc.,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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PMV20XN,215
PMV20XN,215 -
MOSFET N-CH 30V 4.8A SOT23
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
制造商产品编号:
PMV20XN,215
仓库库存编号:
568-7534-1-ND
描述:
MOSFET N-CH 30V 4.8A SOT23
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 30V 4.8A(Ta) 510mW(Ta) TO-236AB(SOT23)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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PMV20XN,215产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
制造商
NXP USA Inc.
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
过期
供应商器件封装
TO-236AB(SOT23)
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±12V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
10nC @ 4.5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
25 毫欧 @ 4.8A,4.5V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,4.5V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
4.8A(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
585pF @ 15V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
功率耗散(最大值)
510mW(Ta)
漏源电压(Vdss)
30V
关键词
产品资料
数据列表
PMV20XN
标准包装
1
其它名称
568-7534-1
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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别名:*LM60CIZ
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486-1943
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制造商 NXP USA Inc.
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安装类型 表面贴装
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 585pF @ 15V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 585pF @ 15V
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FET 功能 -
NXP USA Inc. FET 功能 -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250μA
NXP USA Inc. 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250μA
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250μA
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功率耗散(最大值) 510mW(Ta)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 510mW(Ta)
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漏源电压(Vdss) 30V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 30V
NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 30V
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