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产品规格

封装/外壳	SC-100，SOT-669
制造商	NXP USA Inc.
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
系列	TrenchMOS??
包装	剪切带（CT）
零件状态	过期
供应商器件封装	LFPAK56，Power-SO8
技术	MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	18.3nC @ 10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	8.3 毫欧 @ 15A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
FET 类型	N 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	62A（Tc）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1005pF @ 15V
FET 功能	-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.15V @ 1mA
功率耗散（最大值）	56W（Tc）
漏源电压（Vdss）	30V
关键词

产品资料

数据列表	PSMN8R0-30YL
标准包装	1
其它名称	568-6904-1

封装/外壳 SC-100，SOT-669  NXP USA Inc. 封装/外壳 SC-100，SOT-669  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 SC-100，SOT-669  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 SC-100，SOT-669   制造商 NXP USA Inc.  NXP USA Inc. 制造商 NXP USA Inc.  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 NXP USA Inc.  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 NXP USA Inc.   安装类型 表面贴装  NXP USA Inc. 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  NXP USA Inc. 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）   系列 TrenchMOS??  NXP USA Inc. 系列 TrenchMOS??  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 TrenchMOS??  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 TrenchMOS??   包装 剪切带（CT）   NXP USA Inc. 包装 剪切带（CT）   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）   NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态 过期  NXP USA Inc. 零件状态 过期  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 过期  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 LFPAK56，Power-SO8  NXP USA Inc. 供应商器件封装 LFPAK56，Power-SO8  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 LFPAK56，Power-SO8  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 LFPAK56，Power-SO8   技术 MOSFET（金属氧化物）  NXP USA Inc. 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   Vgs（最大值） ±20V  NXP USA Inc. Vgs（最大值） ±20V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18.3nC @ 10V  NXP USA Inc. 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18.3nC @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18.3nC @ 10V  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18.3nC @ 10V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 8.3 毫欧 @ 15A，10V  NXP USA Inc. 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 8.3 毫欧 @ 15A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 8.3 毫欧 @ 15A，10V  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 8.3 毫欧 @ 15A，10V   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V  NXP USA Inc. 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V   FET 类型 N 沟道  NXP USA Inc. FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 62A（Tc）  NXP USA Inc. 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 62A（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 62A（Tc）  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 62A（Tc）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1005pF @ 15V  NXP USA Inc. 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1005pF @ 15V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1005pF @ 15V  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1005pF @ 15V   FET 功能 -  NXP USA Inc. FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.15V @ 1mA  NXP USA Inc. 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.15V @ 1mA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.15V @ 1mA  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.15V @ 1mA   功率耗散（最大值） 56W（Tc）  NXP USA Inc. 功率耗散（最大值） 56W（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 56W（Tc）  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 56W（Tc）   漏源电压（Vdss） 30V  NXP USA Inc. 漏源电压（Vdss） 30V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 30V  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 30V