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产品规格

封装/外壳	6-TSSOP，SC-88，SOT-363
制造商	NXP USA Inc.
安装类型	表面贴装
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	过期
供应商器件封装	6-TSSOP
晶体管类型	1 NPN 预偏压式，1 NPN
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	30 @ 5mA，5V / 210 @ 2mA，10V
电流 - 集电极截止（最大值）	1μA
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	150mV @ 500μA，10mA / 250mV @ 10mA，100mA
频率 - 跃迁	230MHz
电阻器 - 基底（R1）（欧姆）	10k
电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）	10k
功率 - 最大值	300mW
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	100mA，200mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	50V
关键词

产品资料

数据列表	PUML1/DG
标准包装	3,000
其它名称	934062098115

封装/外壳 6-TSSOP，SC-88，SOT-363  NXP USA Inc. 封装/外壳 6-TSSOP，SC-88，SOT-363  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 封装/外壳 6-TSSOP，SC-88，SOT-363  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 封装/外壳 6-TSSOP，SC-88，SOT-363   制造商 NXP USA Inc.  NXP USA Inc. 制造商 NXP USA Inc.  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 制造商 NXP USA Inc.  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 制造商 NXP USA Inc.   安装类型 表面贴装  NXP USA Inc. 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 安装类型 表面贴装  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 安装类型 表面贴装   系列 -  NXP USA Inc. 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 系列 -  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 系列 -   包装 带卷（TR）   NXP USA Inc. 包装 带卷（TR）   晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 包装 带卷（TR）   NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 包装 带卷（TR）    零件状态 过期  NXP USA Inc. 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 零件状态 过期  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 零件状态 过期   供应商器件封装 6-TSSOP  NXP USA Inc. 供应商器件封装 6-TSSOP  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 供应商器件封装 6-TSSOP  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 供应商器件封装 6-TSSOP   晶体管类型 1 NPN 预偏压式，1 NPN  NXP USA Inc. 晶体管类型 1 NPN 预偏压式，1 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 晶体管类型 1 NPN 预偏压式，1 NPN  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 晶体管类型 1 NPN 预偏压式，1 NPN   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 5mA，5V / 210 @ 2mA，10V  NXP USA Inc. 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 5mA，5V / 210 @ 2mA，10V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 5mA，5V / 210 @ 2mA，10V  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 5mA，5V / 210 @ 2mA，10V   电流 - 集电极截止（最大值） 1μA  NXP USA Inc. 电流 - 集电极截止（最大值） 1μA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电流 - 集电极截止（最大值） 1μA  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电流 - 集电极截止（最大值） 1μA   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 150mV @ 500μA，10mA / 250mV @ 10mA，100mA  NXP USA Inc. 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 150mV @ 500μA，10mA / 250mV @ 10mA，100mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 150mV @ 500μA，10mA / 250mV @ 10mA，100mA  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 150mV @ 500μA，10mA / 250mV @ 10mA，100mA   频率 - 跃迁 230MHz  NXP USA Inc. 频率 - 跃迁 230MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 频率 - 跃迁 230MHz  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 频率 - 跃迁 230MHz   电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 10k  NXP USA Inc. 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 10k  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 10k  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 10k   电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 10k  NXP USA Inc. 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 10k  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 10k  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 10k   功率 - 最大值 300mW  NXP USA Inc. 功率 - 最大值 300mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 功率 - 最大值 300mW  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 功率 - 最大值 300mW   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA，200mA  NXP USA Inc. 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA，200mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA，200mA  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA，200mA   电压 - 集射极击穿（最大值） 50V  NXP USA Inc. 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V