关于我们 | 联系我们

库存查询

产品规格

封装/外壳	SC-70，SOT-323
制造商	On Semiconductor
安装类型	表面贴装
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	在售
供应商器件封装	3-MCP
晶体管类型	NPN
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	300 @ 10mA，2V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	15V
Power - Max	300mW
电流 - 集电极截止（最大值）	100nA（ICBO）
Current - Collector (Ic) (Max)	700mA
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	300mV @ 10mA，200mA
频率 - 跃迁	330MHz
关键词

产品资料

数据列表	15C01M
标准包装	1
其它名称	15C01M-TL-EOSCT

封装/外壳 SC-70，SOT-323  ON Semiconductor 封装/外壳 SC-70，SOT-323  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 SC-70，SOT-323  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 SC-70，SOT-323   制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 On Semiconductor   安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  ON Semiconductor 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C（TJ）  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 剪切带（CT）   ON Semiconductor 包装 剪切带（CT）   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带（CT）   ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  ON Semiconductor 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 3-MCP  ON Semiconductor 供应商器件封装 3-MCP  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 3-MCP  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 3-MCP   晶体管类型 NPN  ON Semiconductor 晶体管类型 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 300 @ 10mA，2V  ON Semiconductor 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 300 @ 10mA，2V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 300 @ 10mA，2V  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 300 @ 10mA，2V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 15V  ON Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 15V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 15V  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 15V   Power - Max 300mW  ON Semiconductor Power - Max 300mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 300mW  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 300mW   电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  ON Semiconductor 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）   Current - Collector (Ic) (Max) 700mA  ON Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 700mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 700mA  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 700mA   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 10mA，200mA  ON Semiconductor 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 10mA，200mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 10mA，200mA  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 10mA，200mA   频率 - 跃迁 330MHz  ON Semiconductor 频率 - 跃迁 330MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 330MHz  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 330MHz