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产品规格

封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
制造商	On Semiconductor
安装类型	表面贴装
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	在售
供应商器件封装	3-CP
晶体管类型	NPN
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	100 @ 10mA，5V
频率 - 跃迁	1.5GHz
功率 - 最大值	200mW
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	70mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	10V
增益	13dB @ 0.4GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）	1.6dB @ 0.4GHz
关键词

产品资料

数据列表	15GN03CA
标准包装	3,000

封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  ON Semiconductor 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3   制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 On Semiconductor   安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  ON Semiconductor 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 150°C（TJ）  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -   包装 带卷（TR）   ON Semiconductor 包装 带卷（TR）   晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 带卷（TR）   ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 带卷（TR）    零件状态 在售  ON Semiconductor 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 在售  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 在售   供应商器件封装 3-CP  ON Semiconductor 供应商器件封装 3-CP  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 3-CP  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 3-CP   晶体管类型 NPN  ON Semiconductor 晶体管类型 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 10mA，5V  ON Semiconductor 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 10mA，5V  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 10mA，5V  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 10mA，5V   频率 - 跃迁 1.5GHz  ON Semiconductor 频率 - 跃迁 1.5GHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 1.5GHz  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 1.5GHz   功率 - 最大值 200mW  ON Semiconductor 功率 - 最大值 200mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 200mW  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 200mW   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 70mA  ON Semiconductor 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 70mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 70mA  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 70mA   电压 - 集射极击穿（最大值） 10V  ON Semiconductor 电压 - 集射极击穿（最大值） 10V  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿（最大值） 10V  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿（最大值） 10V   增益 13dB @ 0.4GHz  ON Semiconductor 增益 13dB @ 0.4GHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 13dB @ 0.4GHz  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 13dB @ 0.4GHz   噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 1.6dB @ 0.4GHz  ON Semiconductor 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 1.6dB @ 0.4GHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 1.6dB @ 0.4GHz  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 1.6dB @ 0.4GHz