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1PMT5933BT1G
1PMT5933BT1G -
DIODE ZENER 22V 3.2W POWERMITE
非库存货
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
制造商产品编号：
1PMT5933BT1G
仓库库存编号：
1PMT5933BT1G-ND
描述：
DIODE ZENER 22V 3.2W POWERMITE
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Zener Diode 3.2W ±5% Surface Mount Powermite
订购热线：
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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1PMT5933BT1G产品属性
产品规格
封装/外壳
DO-216AA
制造商
On Semiconductor
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C
系列
-
包装
带卷（TR）
零件状态
在售
供应商器件封装
Powermite
容差
±5%
不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流
1μA @ 16.7V
不同 If 时的电压 - 正向（Vf）
1.25V @ 200mA
Power - Max
3.2W
电压 - 齐纳（标称值）（Vz）
22V
阻抗（最大值）（Zzt）
17.5 Ohms
关键词
产品资料
数据列表
1PMT59xxB
标准包装
3,000
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制造商 On Semiconductor
ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor
二极管 - 齐纳 - 单 制造商 On Semiconductor
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安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 安装类型 表面贴装
二极管 - 齐纳 - 单 安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 二极管 - 齐纳 - 单 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 150°C
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二极管 - 齐纳 - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C
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系列 -
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包装 带卷（TR）
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二极管 - 齐纳 - 单 包装 带卷（TR）
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供应商器件封装 Powermite
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容差 ±5%
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ON Semiconductor 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 1μA @ 16.7V
二极管 - 齐纳 - 单 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 1μA @ 16.7V
ON Semiconductor 二极管 - 齐纳 - 单 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 1μA @ 16.7V
不同 If 时的电压 - 正向（Vf） 1.25V @ 200mA
ON Semiconductor 不同 If 时的电压 - 正向（Vf） 1.25V @ 200mA
二极管 - 齐纳 - 单 不同 If 时的电压 - 正向（Vf） 1.25V @ 200mA
ON Semiconductor 二极管 - 齐纳 - 单 不同 If 时的电压 - 正向（Vf） 1.25V @ 200mA
Power - Max 3.2W
ON Semiconductor Power - Max 3.2W
二极管 - 齐纳 - 单 Power - Max 3.2W
ON Semiconductor 二极管 - 齐纳 - 单 Power - Max 3.2W
电压 - 齐纳（标称值）（Vz） 22V
ON Semiconductor 电压 - 齐纳（标称值）（Vz） 22V
二极管 - 齐纳 - 单 电压 - 齐纳（标称值）（Vz） 22V
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阻抗（最大值）（Zzt） 17.5 Ohms
ON Semiconductor 阻抗（最大值）（Zzt） 17.5 Ohms
二极管 - 齐纳 - 单 阻抗（最大值）（Zzt） 17.5 Ohms
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