2N5461RLRA,ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - JFET
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - JFET
>
2N5461RLRA
2N5461RLRA -
JFET P-CH 40V 0.35W TO92
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
ON Semiconductor
ON Semiconductor
制造商产品编号:
2N5461RLRA
仓库库存编号:
2N5461RLRA-ND
描述:
JFET P-CH 40V 0.35W TO92
ROHS:
含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
JFET P-Channel 40V 350mW Through Hole TO-92-3
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
2N5461RLRA产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
制造商
On Semiconductor
安装类型
通孔
工作温度
-65°C ~ 135°C(TJ)
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
过期
供应商器件封装
TO-92-3
FET 类型
P 沟道
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
7pF @ 15V
Power - Max
350mW
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss)
2mA @ 15V
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关)
1V @ 1μA
电压 - 击穿(V(BR)GSS)
40V
电阻 - RDS(开)
-
关键词
产品资料
数据列表
2N5460, 61, 62
标准包装
2,000
2N5461RLRA相关搜索
封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
ON Semiconductor 封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
晶体管 - JFET 封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
制造商 On Semiconductor
ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor
晶体管 - JFET 制造商 On Semiconductor
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 制造商 On Semiconductor
安装类型 通孔
ON Semiconductor 安装类型 通孔
晶体管 - JFET 安装类型 通孔
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 安装类型 通孔
工作温度 -65°C ~ 135°C(TJ)
ON Semiconductor 工作温度 -65°C ~ 135°C(TJ)
晶体管 - JFET 工作温度 -65°C ~ 135°C(TJ)
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 工作温度 -65°C ~ 135°C(TJ)
系列 -
ON Semiconductor 系列 -
晶体管 - JFET 系列 -
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 系列 -
包装 带卷(TR)
ON Semiconductor 包装 带卷(TR)
晶体管 - JFET 包装 带卷(TR)
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 包装 带卷(TR)
零件状态 过期
ON Semiconductor 零件状态 过期
晶体管 - JFET 零件状态 过期
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 零件状态 过期
供应商器件封装 TO-92-3
ON Semiconductor 供应商器件封装 TO-92-3
晶体管 - JFET 供应商器件封装 TO-92-3
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 供应商器件封装 TO-92-3
FET 类型 P 沟道
ON Semiconductor FET 类型 P 沟道
晶体管 - JFET FET 类型 P 沟道
ON Semiconductor 晶体管 - JFET FET 类型 P 沟道
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 7pF @ 15V
ON Semiconductor 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 7pF @ 15V
晶体管 - JFET 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 7pF @ 15V
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 7pF @ 15V
Power - Max 350mW
ON Semiconductor Power - Max 350mW
晶体管 - JFET Power - Max 350mW
ON Semiconductor 晶体管 - JFET Power - Max 350mW
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss) 2mA @ 15V
ON Semiconductor 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss) 2mA @ 15V
晶体管 - JFET 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss) 2mA @ 15V
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss) 2mA @ 15V
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关) 1V @ 1μA
ON Semiconductor 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关) 1V @ 1μA
晶体管 - JFET 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关) 1V @ 1μA
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关) 1V @ 1μA
电压 - 击穿(V(BR)GSS) 40V
ON Semiconductor 电压 - 击穿(V(BR)GSS) 40V
晶体管 - JFET 电压 - 击穿(V(BR)GSS) 40V
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 电压 - 击穿(V(BR)GSS) 40V
电阻 - RDS(开) -
ON Semiconductor 电阻 - RDS(开) -
晶体管 - JFET 电阻 - RDS(开) -
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 电阻 - RDS(开) -
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号