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2N5639
2N5639 -
JFET N-CH 35V 0.31W TO92
已过时的产品。
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
制造商产品编号：
2N5639
仓库库存编号：
2N5639OS-ND
描述：
JFET N-CH 35V 0.31W TO92
ROHS：
含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
JFET N-Channel 35V 310mW Through Hole TO-92-3
订购热线：
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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2N5639产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
制造商
On Semiconductor
安装类型
通孔
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）
系列
-
包装
散装
零件状态
过期
供应商器件封装
TO-92-3
FET 类型
N 沟道
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
10pF @ 12V（VGS）
漏源电压（Vdss）
30V
Power - Max
310mW
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
25mA @ 20V
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
-
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
35V
电阻 - RDS（开）
60 欧姆
关键词
产品资料
数据列表
2N5638, 5639
标准包装
1,000
其它名称
2N5639OS
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封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
ON Semiconductor 封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
晶体管 - JFET 封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
制造商 On Semiconductor
ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor
晶体管 - JFET 制造商 On Semiconductor
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 制造商 On Semiconductor
安装类型 通孔
ON Semiconductor 安装类型 通孔
晶体管 - JFET 安装类型 通孔
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 安装类型 通孔
工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）
ON Semiconductor 工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）
晶体管 - JFET 工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）
系列 -
ON Semiconductor 系列 -
晶体管 - JFET 系列 -
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 系列 -
包装 散装
ON Semiconductor 包装 散装
晶体管 - JFET 包装 散装
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 包装 散装
零件状态 过期
ON Semiconductor 零件状态 过期
晶体管 - JFET 零件状态 过期
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 零件状态 过期
供应商器件封装 TO-92-3
ON Semiconductor 供应商器件封装 TO-92-3
晶体管 - JFET 供应商器件封装 TO-92-3
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 供应商器件封装 TO-92-3
FET 类型 N 沟道
ON Semiconductor FET 类型 N 沟道
晶体管 - JFET FET 类型 N 沟道
ON Semiconductor 晶体管 - JFET FET 类型 N 沟道
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 10pF @ 12V（VGS）
ON Semiconductor 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 10pF @ 12V（VGS）
晶体管 - JFET 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 10pF @ 12V（VGS）
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 10pF @ 12V（VGS）
漏源电压（Vdss） 30V
ON Semiconductor 漏源电压（Vdss） 30V
晶体管 - JFET 漏源电压（Vdss） 30V
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 漏源电压（Vdss） 30V
Power - Max 310mW
ON Semiconductor Power - Max 310mW
晶体管 - JFET Power - Max 310mW
ON Semiconductor 晶体管 - JFET Power - Max 310mW
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 25mA @ 20V
ON Semiconductor 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 25mA @ 20V
晶体管 - JFET 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 25mA @ 20V
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 25mA @ 20V
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） -
ON Semiconductor 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） -
晶体管 - JFET 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） -
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） -
电压 - 击穿（V（BR）GSS） 35V
ON Semiconductor 电压 - 击穿（V（BR）GSS） 35V
晶体管 - JFET 电压 - 击穿（V（BR）GSS） 35V
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电阻 - RDS（开） 60 欧姆
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晶体管 - JFET 电阻 - RDS（开） 60 欧姆
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